LDMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种LDMOS器件，包括：形成于第一外延层上的漂移区和体区，栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区；还包括共用介质层，覆盖多晶硅栅的第二侧和漏区之间的漂移区表面且共用介质层会延伸到多晶硅栅的表面上，共用介质层还覆盖部分漏区的表面；未被共用介质层所覆盖的多晶硅栅、源区和漏区的表面形成有自对准金属硅化物且共用介质层作为自对准金属硅化物的生长阻挡层；在多晶硅栅的第二侧和漏区之间的共用介质层的表面形成有漏端场板；漏端场板底部的共用介质层作为场板介质层。本发明专利技术还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明专利技术能降低工艺难度，提高竞争力。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种LDMOS器件；本专利技术还涉及一种LDMOS器件的制造方法。
技术介绍
双扩散金属氧化物半导体场效应管(Double-diffusedMOS)由于具有耐压稿，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前在电源管理电路中被广泛采用。DMOS包括垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)和LDMOS(LDMOS)，在LDMOS器件中，导通电阻是一个重要的指标。BCD工艺中，LDMOS虽然与CMOS集成在同一块芯片中，但由于高耐压和低特征电阻即导通电阻(Rsp)的要求，在进行工艺整合时应尽可能防止器件表面的硅受到损伤而导致器件性能退化。如图1所示，是现有LDMOS器件的结构示意图；以N型器件为例，现有LDMOS器件包括：N型的第一外延层102，在所述第一外延层102的选定区域中形成有P型的漂移区104和N型的体区105；所述漂移区104和所述体区105横向隔离有距离。在所述第一外延层102的底部形成有P型重掺杂的第一埋层101；所述第一埋层101形成于半导体衬底表面。通常，所述半导体衬底为P型掺杂的硅衬底，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；在所述体区的表面形成有由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；所述栅介质层的第二侧和所述多晶硅栅的第二侧都延伸到所述漂移区的表面上；源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区形成于所述漂移区的选定区域中且所述漏区的第一侧和所述多晶硅栅的第二侧相隔有间距；共用介质层，所述共用介质层覆盖所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述漂移区表面且...

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；在所述体区的表面形成有由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；所述栅介质层的第二侧和所述多晶硅栅的第二侧都延伸到所述漂移区的表面上；源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区形成于所述漂移区的选定区域中且所述漏区的第一侧和所述多晶硅栅的第二侧相隔有间距；共用介质层，所述共用介质层覆盖所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述漂移区表面且所述共用介质层会延伸到所述多晶硅栅的表面上，所述共用介质层还覆盖部分所述漏区的表面；未被所述共用介质层所覆盖的所述多晶硅栅、所述源区和所述漏区的表面形成有自对准金属硅化物且所述共用介质层作为所述自对准金属硅化物的生长阻挡层；在所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述共用介质层的表面形成有漏端场板；所述漏端场板底部的所述共用介质层作为场板介质层。2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述第一外延层的底部形成有第一导电类型重掺杂的第一埋层；所述第一埋层形成于半导体衬底表面。3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底，所述第一外延层为硅外延层；所述栅介质层为氧化硅；所述共用介质层的材料为氧化硅。4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述体区的表面还形成有第二导电类型重掺杂的体引出区，所述体引出区和所述源区的第一侧的侧面相接触，所述源区表面的自对准金属硅化物也延伸到所述体引出区的表面。5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：接触孔刻蚀停止层，层间膜，接触孔，正面金属层；各所述接触孔穿过对应的所述层间膜和所述接触孔刻蚀停止层并和底部的所述自对准金属硅化物接触；所述源区、所述漏区、所述多晶硅栅和所述漏端场板的顶部都形成有对应的接触孔，所述源区通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的源极，所述漏区通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的漏极，所述多晶硅栅通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的栅极，所述漏端场板也通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的栅极。6.如权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于：所述接触孔刻蚀停止层由氧化层和氮化层叠加而成；所述层间膜由氧化层组成。7.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述多晶硅栅的侧面还形成有侧墙。8.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漏端场板包括第二多晶硅层或对所述第二多晶硅层进行表面进行自对准金属硅化形成的自对准金属硅化物；当所述第二多晶硅层的厚度减小到小于时，所述第二多晶硅层会全部转化为自对准金属硅化物，此时所述漏端场板完全由自对准金属硅化物组成；当所述第二多晶硅层未被完全转换为自对准金属硅化物时，所述漏端场板由剩余厚度的所述第二多晶硅层和表面自对准金属硅化物叠加而成。9.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；步骤二、依次形成栅介质层和多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31