一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极，所述多晶硅衬底和所述栅极走线的上表面开设有有接触孔，所述接触孔用于填充所述栅极金属层。此半导体器件大大增加了元胞开启或关断的一致性，减少了半导体器件的损耗，避免元胞的过电流失效，增加了半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体芯片
，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
自垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)出现以来，电子电力得到了迅速发展，由于其独特的高输入阻抗，低驱动功率，高开关速度，优越的频率特性以及很好的热稳定性等特点，广泛地应用于开关电源，汽车电子，马达驱动，高频振荡器等各个领域。垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管半导体器件有三个电极，除漏极位于芯片背面以外，栅极和源极均位于芯片正面，当前垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管半导体器件结构中，比较复杂的为栅极的连接方式，每一条多晶硅栅极均通过四周的栅极走线连接，并通过栅极走线连接到栅极衬垫上。半导体器件在开启时，一个重要的考量就是要使得有源区内的所有元胞同时开启或关闭，也即，当在栅极衬垫上施加一个正电压时，要使得所有的多晶硅栅极同时产生这个正电压，但由于多晶硅本身具有电阻，因此，距离栅极衬垫越远的元胞，开启的越慢，这就会导致半导体器件在开关时，不能保证元胞同时开启和关断，且损耗集中在某些元胞上，从而导致元胞的过电流失效。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极，所述多晶硅衬垫和所述栅极走线的上表面开设有接触孔，所述接触孔用于填充所述栅极金属层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极，所述多晶硅衬垫和所述栅极走线的上表面开设有接触孔，所述接触孔用于填充所述栅极金属层。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：衬底；形成在所述衬底的上表面的外延层；形成在所述衬底的上表面和所述栅极的下表面之间的栅极氧化层；形成在所述栅极的外侧且位于所述外延层的上表面的介质层。3.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括覆盖在所述多晶硅栅极对应的介质层的上方的源极金属层和形成在所述衬底的下表面的漏极金属层。4.根据权利要求3所述的一种半导体器件，其特征在于，所述源极金属层和所述栅极金属层的间距为4-7μm。5.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括自所述外延层的上表面延伸至所述外延层内部的体区和自所述体区的上表面延伸至所述体区内部的源区。6.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述多晶硅栅极的宽度为7～10μm，相邻多晶硅栅极之间的间距为7～10μm。7.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述多晶硅衬垫的长度为15-...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市心版图科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44