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本发明提供一种半导体器件，包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻...
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