一种场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种场效应晶体管，包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在外延层的上表面的介质层、贯穿外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区、形成在第一注入区上第一导电类型的第三注入区和第四注入区、形成在第二注入区上第一导电类型的第五注入区、间隔形成在介质层上的第一栅极和源极，第一栅极和源极均与所述第二注入区以及第五注入区电连接，且第一栅极与第四注入区电连接,保护区与第三注入区电连接，漏极形成在衬底的下表面。其还公开了上述场效应晶体管的制备方法。其不会增加晶体管的面积和制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管及其制备方法
本专利技术涉及半导体芯片
，尤其涉及一种场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。VDMOS的栅极控制器件沟道开启，栅极位置的氧化层耐高压能力差(通常<100V)，极易受到瞬态浪涌电压破坏，导致器件失效。为了保护栅极被瞬态浪涌电压破坏，通常通过封装和连接保护器件的方法来避免栅极被浪涌电压破坏，但这样的方式往往会大大地增加器件的面积和制造成本。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种场效应晶体管，不会增加晶体管的面积和制造成本。本专利技术的目的之二在于提供一种场效应晶体管的制备方法。本专利技术的目的之一采用以下技术方案实现：一种场效应晶体管，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的上表面的介质层、贯穿所述外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在所述外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的上表面的介质层、贯穿所述外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在所述外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区、形成在所述第一注入区上第一导电类型的第三注入区和第四注入区、形成在所述第二注入区上第一导电类型的第五注入区、间隔形成在所述介质层上的第一栅极和源极，所述第一栅极和所述源极均与所述第二注入区以及所述第五注入区电连接，且所述第一栅极与所述第四注入区电连接,所述保护区与所述第三注入区电连接，漏极形成在所述衬底的下表面。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的上表面的介质层、贯穿所述外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在所述外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区、形成在所述第一注入区上第一导电类型的第三注入区和第四注入区、形成在所述第二注入区上第一导电类型的第五注入区、间隔形成在所述介质层上的第一栅极和源极，所述第一栅极和所述源极均与所述第二注入区以及所述第五注入区电连接，且所述第一栅极与所述第四注入区电连接,所述保护区与所述第三注入区电连接，漏极形成在所述衬底的下表面。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述保护区包括第一沟槽、形成在所述第一沟槽侧壁上的第一氧化硅层、填充在所述第一沟槽内的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的一端与所述衬底电连接，所述第一多晶硅层的另一端与所述第三注入区电连接。3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于：所述保护区还包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述介质层上，所述第一多晶硅层通过所述第一金属层与所述第三注入区电连接。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述第一栅极包括第二氧化硅层、形成在所述第二氧化硅层上表面的第二多晶硅层，所述第二氧化硅层设置在所述第二注入区以及所述第五注入区的上表面，所述第二多晶硅层与所述第四注入区电连接。5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于：所述第一栅极还包括第二金属层，所述第二金属层设置在所述介质层上，所述第二多晶硅层通过所述第二金属层与所述第四注入区电连接。6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管还包括第二栅极和形成在所述第二注入区上第一导电类型的第六注入区，所述第二栅极包括第三氧化硅层、形成在所述第三氧化硅层上表面的第三多晶硅层，所述第三氧化硅层设置在所述第二注入区以及所述第六注入区...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市南硕明泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44