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本发明公开了一种场效应晶体管，包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在外延层的上表面的介质层、贯穿外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区、形成在第一注入区上第一...
该专利属于深圳市南硕明泰科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市南硕明泰科技有限公司授权不得商用。

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