半导体装置制造方法及图纸

在仅存在一层蓄积层的情况下，与存在多层蓄积层的情况相比，存在导通电压(Von)变高的问题。相对于此，在存在多层蓄积层的情况下，与仅存在一层蓄积层的情况相比，存在因载流子过于积存于蓄积层所以关断损耗(Eoff)增加的问题。在具有半导体基板的半导体装置中，半导体基板具备沿预先设定的方向延伸的两个沟槽部、设置在两个沟槽部之间的台面部、以及漂移层，台面部具有发射区、接触区以及在比发射区及接触区靠下方的位置沿深度方向并列地设置的多个蓄积层，至少一个蓄积层设置在发射区的至少一部分之下，但不设置在接触区的一部分区域的下方。

Semiconductor Device

In the case of only one layer of reservoir, there is a problem of higher on-voltage (Von) compared with the case of multi-layer reservoir. In contrast, in the case of multi-layer reservoir, there is an increase in Eoff due to the excessive accumulation of carriers in the reservoir, compared with the case of only one reservoir. In a semiconductor device with a semiconductor substrate, the semiconductor substrate has two grooves extending in a predetermined direction, a mesa set between the two grooves, and a drift layer. The mesa has a launching area, a contact area, and a plurality of accumulating layers arranged side by side in the depth direction at a position lower than the launching area and the contact area, and at least one accumulating layer is arranged. It is below at least part of the launch area, but not below part of the contact area.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知具有载流子蓄积层的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-311627号公报
技术实现思路
技术问题载流子蓄积层也称为蓄积层。在仅有一层蓄积层的情况下，与有多层蓄积层的情况相比，存在IGBT导通时的作为集电极-发射极间电压的导通电压(Von)变高的问题。相对于此，在有多层蓄积层的情况下，与仅有一层蓄积层的情况相比，存在因为在蓄积层积存过多的载流子所以关断损耗(Eoff)增加的问题。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供半导体装置。半导体装置可以具有半导体基板。半导体基板可以具备两个沟槽部、台面部以及漂移层。两个沟槽部可以沿预先设定的方向延伸。台面部可以设置在两个沟槽部之间。漂移层可以设置在台面部的下方。漂移层可以是第一导电型。台面部可以具有发射区、接触区以及多个蓄积层。发射区的掺杂浓度可以高于漂移层的掺杂浓度。另外，发射区的至少一部分可以位于半导体基板的上表面。而且，发射区可以是第一导电型。接触区的至少一部分可以位于半导体基板的上表面。另外，接触区可以是第二导电型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体基板，所述半导体基板具备：两个沟槽部，其沿预先设定的方向延伸；台面部，其设置于所述两个沟槽部之间；以及第一导电型的漂移层，其设置于所述台面部的下方；所述台面部具有：第一导电型的发射区，其掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度，并且所述发射区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面；第二导电型的接触区，其至少一部分位于所述半导体基板的上表面；以及多个蓄积层，其在比所述发射区及所述接触区靠下方的位置，沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向并列地设置，并且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，所述多个蓄积层中的至少一个蓄积层设置在...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.08 JP 2016-238467;2017.07.13 JP 2017-137451.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体基板，所述半导体基板具备：两个沟槽部，其沿预先设定的方向延伸；台面部，其设置于所述两个沟槽部之间；以及第一导电型的漂移层，其设置于所述台面部的下方；所述台面部具有：第一导电型的发射区，其掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度，并且所述发射区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面；第二导电型的接触区，其至少一部分位于所述半导体基板的上表面；以及多个蓄积层，其在比所述发射区及所述接触区靠下方的位置，沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向并列地设置，并且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，所述多个蓄积层中的至少一个蓄积层设置在所述发射区的至少一部分之下，但不设置在所述接触区的一部分区域的下方。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述发射区和所述接触区在所述预先设定的方向上交替地设置。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个蓄积层不设置在多个所述接触区中的各接触区的一部分区域的下方。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个蓄积层是包含多个蓄积区的岛状蓄积层，所述多个蓄积区具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度，并且在与所述深度方向垂直的平面上各自离散地设置，所述多个蓄积区分别设置在所述发射区的至少一部分之下，但是不设置在所述接触区的一部分区域的下方而各自分离，除在所述深度方向上最接近所述上表面的蓄积层以外的所有蓄积层是所述岛状蓄积层。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述台面部还具有基...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP