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本发明公开了一种LDMOS器件，包括：形成于第一外延层上的漂移区和体区，栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区；还包括共用介质层，覆盖多晶硅栅的第二侧和漏区之间的漂移区表面且共用介质层会延伸到多晶硅栅的表面上，共用介质层还覆盖部分漏区的表面；未被共...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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