多列型半导体装置用布线构件及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种多列型半导体装置用布线构件。利用该多列型半导体装置用布线构件，能够实现半导体装置的薄型化、小型化，使端子部的镀覆膜与树脂之间的密合性提高，使内部端子侧镀层的面和内部端子部的高度均等，减轻树脂的翘曲，削减半导体装置制造时的工序数量，以高可靠性成品率良好地实现量产化。该多列型半导体装置用布线构件是半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的，该半导体装置用布线构件在永久抗蚀层(15’)的一个面(15a’)上的规定部位以使下表面暴露于面(15a’)的状态形成有成为内部端子的镀层(11)，并形成有与镀层(11)相连接的成为布线部的镀层(12)，以使上表面自永久抗蚀层的另一个面(15b’)暴露的状态在镀层(12)的区域内局部地形成有成为外部端子的镀层(13)，构成内部端子、布线部以及外部端子的镀层的层叠体的侧面形成为大致L字形状，在永久抗蚀层的一个面上的、半导体装置用布线构件的集合体的外周区域形成有金属框部(16)。

Wiring Components for Multilayer Semiconductor Devices and Their Manufacturing Method

The invention provides a wiring component for a multi-row semiconductor device. The wiring component for the multi-row semiconductor device can realize the thinning and miniaturization of the semiconductor device, improve the tightness between the coating film on the terminal and the resin, make the surface of the coating on the side of the internal terminal and the height of the inner terminal equal, reduce the warpage of the resin, reduce the number of processes in the manufacturing of the semiconductor device, and achieve mass production with high reliability and good yield. Change. The wiring component used in the multi-row semiconductor device is a matrix arrangement of wiring components used in the semiconductor device. The wiring component is arranged at a specified position on one side (15a') of the permanent corrosion resistant layer (15') so that the lower surface is exposed to the surface (15a') to form a coating (11) which becomes an internal terminal and a coating which is connected with the coating (11) to form a wiring part. (12) In order to make the upper surface exposed from the other side of the permanent anti-corrosion layer (15b'), a coating (13) forming an external terminal is formed locally in the area of the coating (12), and the side of the coating layer forming an internal terminal, a wiring part and an external terminal is formed into a roughly L-shaped shape. On one side of the permanent anti-corrosion layer, the outer part of the assembly of wiring components for semiconductor devices is formed. A metal frame (16) is formed in the surrounding area.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多列型半导体装置用布线构件及其制造方法
本专利技术涉及用于倒装法安装半导体元件的多列型半导体装置用布线构件及其制造方法。
技术介绍
以往，在半导体装置用基板之中，例如如下面的专利文献1所记载那样，存在以下类型的半导体装置用基板：在半导体装置用基板上安装半导体元件，利用树脂进行密封，之后，剥下基材，由此完成半导体装置。对于专利文献1所记载的半导体装置用基板，例如，如图5的(a)所示，在例如由不锈钢材料构成基材51之上具有分别由金属镀层形成的半导体元件搭载部52a和端子部52b。端子部52b形成为内部端子面52b1和外部端子面52b2成为表背一体(日文：表裏一体)那样的形状。在半导体元件搭载部52a和端子部52b的靠半导体元件搭载侧的部位，在上端周缘形成有大致屋檐形状的突出部52a1、52b3。另外，在半导体元件搭载部52a或端子部52b的靠基材侧的部位，为了能够适当地进行半导体装置安装时的软钎焊，镀敷形成有例如Au等的薄膜作为外部端子面。并且，在使用图5的(a)的半导体装置用基板来制造半导体装置的过程中，在半导体元件搭载部52a上搭载半导体元件53，利用引线54使半导体元件53的电极和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，该多列型半导体装置用布线构件是半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的，该半导体装置用布线构件在永久抗蚀层的一侧的面上的规定部位以使下表面暴露于该永久抗蚀层的一侧的面的状态形成有成为内部端子的第1镀层，并形成有与所述第1镀层相连接的成为布线部的镀层，并且在所述成为布线部的镀层之上以使上表面自所述永久抗蚀层的另一侧的面暴露的状态在该成为布线部的镀层的区域内局部地形成有成为外部端子的第2镀层，构成所述内部端子、所述布线部以及所述外部端子的镀层的层叠体的侧面形状形成为大致L字形状或大致T字形状，在所述永久抗蚀层的一侧的面上的、各个所述半导体装置用布线构件...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.20 JP 2016-1019461.一种多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，该多列型半导体装置用布线构件是半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的，该半导体装置用布线构件在永久抗蚀层的一侧的面上的规定部位以使下表面暴露于该永久抗蚀层的一侧的面的状态形成有成为内部端子的第1镀层，并形成有与所述第1镀层相连接的成为布线部的镀层，并且在所述成为布线部的镀层之上以使上表面自所述永久抗蚀层的另一侧的面暴露的状态在该成为布线部的镀层的区域内局部地形成有成为外部端子的第2镀层，构成所述内部端子、所述布线部以及所述外部端子的镀层的层叠体的侧面形状形成为大致L字形状或大致T字形状，在所述永久抗蚀层的一侧的面上的、各个所述半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的半导体装置用布线构件的集合体的外周区域形成有金属框部。2.根据权利要求1所述的多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，所述成为布线部的镀层以与所述第1镀层相同的形状形成在该第1镀层之上。3.根据权利要求1或2所述的多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，在所述第1镀层之上形成的所述成为布线部的镀层的上表面是粗化面。4.根据权利要求1或2所述的多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，所述第1镀层所暴露的所述永久抗蚀层的一侧的面是粗糙面。5.一种多列型半导体装置用布线构件的制造方法，该多列型半导体装置用布线构件是半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的，该多列型半导体装置用布线构件的制造方法的特征在于，包括以下工序：在金属板的另一侧的面形成具有以图案A形成的开口部的第1抗蚀剂掩模，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：菱木薫，饭谷一则，
申请(专利权)人：大口电材株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP