引线框架制造技术

一种引线框架能够使半导体封装制品侧面的开口面积尽量增大，同时能够防止由引线的强度降低引起的变形，所述侧面为门形且能够目视焊接部分。由铜系金属板形成的引线的第1区域具有由一面侧的深达金属板的板厚的75～90％的凹陷形成的薄壁部，第1区域包含将会成为外部连接用端子的区域的一部分，且横跨用于切断成一个一个封装件的切断区域的边界线，在薄壁部的表面，以金属板的板厚的7.5％以上的厚度形成凹形补强镀覆层，在包含形成有补强镀覆层的第1区域的第2区域的表面，形成有外部连接用镀覆层，引线的切断区域的边界线的凹形底部位置处的外部连接用镀覆层的表面位于距离金属板的一面侧深达金属板的板厚的大致50％以上的位置处。

【技术实现步骤摘要】
引线框架
本专利技术涉及一种用于制造半导体封装件的引线框架，所述半导体封装件是背面侧的外部连接用端子与印刷基板等外部设备连接这种类型的。
技术介绍
将半导体封装件组装到外部设备时，要求焊接部分可视化，以便能够目视检查半导体封装件与外部设备的焊接状态是良好还是不良。以往，外周部未设外部引线的例如QFN(Quad-FlatNo-leaded，方形扁平无引脚)型半导体封装件的结构是，在半导体封装件的背面侧排列外部连接用端子，且将露出于半导体封装件的背面侧的多个外部连接用端子与印刷基板等外部设备连接，所以难以目视检查两者是否已焊接。但是，如果不能目视检查焊接部分，那么就无法在焊接作业时发现内在的连接不良，从而需要额外付出作业成本，直至之后在通电检查等中发现连接不良为止。另外，焊接部分也可以使用X射线装置来透视检查，但这样会导致X射线装置的设备成本增大。因此，以往，作为能够目视检查QFN型半导体封装件的焊接部分的焊接状态是良好还是不良的技术，在专利文献1中提出了：在引线框架的引线的一面侧(背面侧)的将会成为外部连接用端子的端子部的切断位置处形成横穿引线的槽，由此在露出于已被切断成一个一个的半导体封装件背面的外部连接用端子处设置延伸到端缘部的空间部，并将焊料介置于空间部，从而能够从露出于半导体封装件的侧面的外部连接用端子目视焊接部分。另外，在专利文献2中揭示了一种技术：在规定区域的内侧设置凹部，对正面侧进行树脂密封后，在凹部的表面有可能露出的位置处实施切断加工，由此使外部连接用端子露出的侧面成为门形，从而能够从露出于半导体封装件侧面的外部连接用端子目视焊接部分，所述规定区域包含引线框架的其中一侧的面(背面)的将会成为引线的外部连接用端子的区域，且横跨切断区域的边界线。[
技术介绍
文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2000-294715号公报[专利文献2]日本专利特开2018-200994号公报
技术实现思路
[专利技术欲解决之课题]但是，在专利文献1所记载的形成横穿引线的槽的技术中，进行树脂密封时树脂会进入槽中，导致能够用于目视焊接部分的空间部无法形成，从而半导体封装制品的良率有可能变差。关于这一点，虽然根据专利文献2所记载的使外部连接用端子的侧面形成为门形的技术，可以获得能够目视焊接部分的空间部，但近年来，人们希望能进一步扩大形成为门形的侧面的开口面积，以便容易尽可能地目视焊接部分。如果为了容易目视检查焊接部分，而在结构如专利文献2所述的引线框架中使外部连接用端子的将会形成为门形的侧面的开口面积尽量增大，那么会使得引线局部地变薄，因此强度不足，在半导体封装件的组装工序中有可能发生变形。本专利技术是鉴于所述以往的课题而完成的，目的在于提供一种引线框架，其能够使半导体封装制品侧面的开口面积尽量增大，同时能够防止由引线的强度降低引起的变形，所述侧面是能够目视焊接部分的部位，且将会形成为门形。[用以解决课题的手段]为了达成所述目的，本专利技术的引线框架用于在其中一侧的面以及侧面露出外部连接用端子的半导体封装件，在由铜系材料所构成的金属板形成的引线的第1区域，具有由一面侧的深达所述金属板的板厚的75～90％的凹陷形成的薄壁部，所述第1区域包含将会成为所述外部连接用端子的区域的一部分，且横跨用于切断成一个一个封装件的切断区域的边界线，在所述薄壁部的表面，以所述金属板的板厚的7.5％以上的厚度形成有凹形的补强镀覆层，在包含形成有所述补强镀覆层的所述第1区域的第2区域的一面侧的表面，形成有外部连接用镀覆层，所述引线的所述切断区域的边界线的凹形底部的位置处的所述外部连接用镀覆层的表面位于距离所述金属板的一面侧深达该金属板的板厚的大致50％以上的位置处。另外，本专利技术的引线框架优选：所述补强镀覆层是包含镍的镀覆层，层叠有所述补强镀覆层和所述外部连接用镀覆层的部位的镀覆层的厚度是所述金属板的板厚的10％以上。具有可实现性的是，该厚度处于大约5～55μm的范围内。另外，本专利技术的引线框架优选：所述引线的侧面具有所述补强镀覆层从所述金属板露出的部位。另外，本专利技术的引线框架优选：在所述切断区域的边界线的位置处，所述引线的侧面露出有所述补强镀覆层。[专利技术的效果]根据本专利技术，可获得一种引线框架，其能够使半导体封装制品的侧面的开口面积尽量增大，同时能够防止由引线的强度降低引起的变形，所述侧面是能够目视焊接部分的部位，且将会形成为门形。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的引线框架的主要部分构成的说明图，且(a)是从一面侧(与外部设备连接的一侧)进行观察的图，(b)是从与(a)的相反侧进行观察的图，(c)是(a)的引线框架中的成为外部连接用端子的区域的A-A剖视图，(c')是(c)的局部放大图，(d)是(a)的引线框架中的成为外部连接用端子的区域的B-B剖视图，(e)是表示变形例的从与外部设备连接的一侧进行观察的图，(f)是(e)的C-C剖视图。图2是以图1(a)的A-A剖面表示图1的引线框架的制造步骤的一例的说明图。图3是以图1(a)的B-B剖面表示图1的引线框架的制造步骤的一例的说明图。图4是表示使用按照图2及图3的制造步骤制造而成的引线框架的封装件的制造步骤的一例的说明图。图5是表示将按照图4的制造步骤制造而成的半导体封装件的外部连接用端子焊接在外部设备上的状态的从与图4(e)相同侧进行观察的侧视图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。第1实施方式如图1所示，第1实施方式的引线框架1在区域11-1具有薄壁部11-1a，所述区域11-1包含由铜系材料所构成的金属板形成的引线11的一面侧的将会成为外部连接用端子的区域的一部分，且横跨用于切断成一个一个封装件的切断区域的边界线L，并且与堵住杆13交叉。如图1(c)、图1(c')所示，薄壁部11-1a是由一面侧的深达金属板10的板厚的75～90％的凹陷形成的。另外，在薄壁部11-1a的表面(内表面)形成有由包含镍的镀覆层构成的凹形补强镀覆层14，所述补强镀覆层14具有金属板10的板厚的7.5％以上的厚度。另外，在第2区域11-2中的一面侧的表面形成有外部连接用镀覆层12，所述第2区域11-2包含形成有补强镀覆层14的第1区域11-1。并且，层叠有补强镀覆层14和外部连接用镀覆层12的部位的镀覆层的厚度具有金属板10的板厚的10％以上。另外，引线11的所述切断区域的边界线L的凹形底部的位置处的外部连接用镀覆层12的表面位于距离金属板10的一面侧深达金属板10的板厚的大致50％以上的位置处。此外，外部连接用镀覆层12优选为由依次层叠镍、钯、金而成的镀覆层构成。另外，如图1(d)所示，薄壁部11-1a是像图1(a)的B-B剖面形成为门形那样的形成为凹形的结构，除此以外，如图1(e)、图1(f)所示，薄壁部11-1a也可以是仅在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架，用于在其中一侧的面及侧面露出外部连接用端子的半导体封装件，其特征在于：/n在由铜系材料所构成的金属板形成的引线的第1区域，具有由一面侧的深达所述金属板的板厚的75～90％的凹陷形成的薄壁部，所述第1区域包含将会成为所述外部连接用端子的区域的一部分，且横跨用于切断成一个一个封装件的切断区域的边界线，/n在所述薄壁部的表面，以所述金属板的板厚的7.5％以上的厚度形成有凹形的补强镀覆层，/n在包含形成有所述补强镀覆层的所述第1区域的第2区域的一面侧的表面，形成有外部连接用镀覆层，/n所述引线的所述切断区域的边界线的凹形底部位置处的所述外部连接用镀覆层的表面位于距离所述金属板的一面侧深达该金属板的板厚的大致50％以上的位置处。/n

【技术特征摘要】
20200130 JP 2020-0140141.一种引线框架，用于在其中一侧的面及侧面露出外部连接用端子的半导体封装件，其特征在于：
在由铜系材料所构成的金属板形成的引线的第1区域，具有由一面侧的深达所述金属板的板厚的75～90％的凹陷形成的薄壁部，所述第1区域包含将会成为所述外部连接用端子的区域的一部分，且横跨用于切断成一个一个封装件的切断区域的边界线，
在所述薄壁部的表面，以所述金属板的板厚的7.5％以上的厚度形成有凹形的补强镀覆层，
在包含形成有所述补强镀覆层的所述第1区域的第2区域的一面侧的表面，形成有外部连接用镀覆层，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田觉史，渡边直树，
申请(专利权)人：大口电材株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP