一种引线框架封装体结构制造技术

一种引线框架封装体结构，属于引线框架封装技术领域。QFN/DFN产品的树脂塑封后的半成品——引线框架封装体的分离是刀沿切割线切割的方式来实现，刀片会对切割面塑封料包裹的金属框架产生撞击，这些情况会导致被切割的金属断面产生大量的毛刺，在后期SMT阶段容易出现短路现象，并且损坏切割刀片。本实用新型专利技术利用在引脚2的背面设置凹槽，并在凹槽内设置金属锡填充物，减少刀片需要切割的硬金属的量，并且吸收热量减少毛刺，同时保护被切割的引脚断面。

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架封装体结构
一种引线框架封装体结构，属于引线框架封装

技术介绍
参见图1：QFN/DFN产品的树脂塑封后的半成品——引线框架封装体，主要由多个芯片座1以及设置在芯片座1周围的多个引脚2以及树脂基体6构成，相邻的两个芯片座1之间的引脚2为一个整体，通过分离形成两个单独的芯片座1各自的引脚2，引线框架的分离是刀沿切割线3切割的方式来实现。用来切割的刀是树脂中包裹金刚石颗粒，刀片高速旋转，产品以一定的移动速度，实现切割，所以是一个纯机械的方式，在这个过程中会产生大量的热量，而且刀片会对切割面塑封料包裹的金属框架产生撞击，这些情况会导致：1、断面塑封料和金属框架结合面出现分离，集成电路封装术语叫做分层，严重影响集成电路封装的可靠性；2、刀片要切割引线框架封装体的引脚部分，铜等其他坚硬金属质地的引脚部分会严重损耗切割刀片，缩短寿命；3、被切割的引脚的断面在高温、撞击下形成大量的毛刺，由于相邻的两个引脚部分距离较短，两个引脚产生的毛刺部分如果发生互相接触或在后期焊锡时发生爬锡，会在后期做SMT时造成短路。中国专利技术专利CN104659010A-一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构与封装体结构公开了一种引线框结构与封装体结构，其在引脚阵列背面靠近中筋处设置有凸点，所述凸点呈矩形，所述矩形凸点周围设置有半蚀刻凹槽。其目的主要是为了利用凸点的虹吸效应，使切割后的引线框架焊锡时锡膏沿凸点爬至引脚侧面。但是，该技术在实际引用中实施难度极高，原因为：已经塑封完毕的引线框架漏出的引脚背面面积极小，无论是半蚀刻出矩形凸点还是柱形凸点都需要精准的保护不需蚀刻的部分，即使采用覆盖贴膜保护的手段，一方面覆盖精准控制难度高、成本高，花费时间久，另一方面蚀刻后的矩形凸点周围的凹槽使其凸点周围没有支撑，切割过程中的刀片撞击容易使其断裂变形，最终失去虹吸效果，无法帮助锡膏爬至侧面。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种利于切割并且切割后毛刺少、制作简单、实用、成本低、对切割刀伤害小的引线框架封装体结构。本技术解决其技术问题采用的技术方案是：一种引线框架封装体结构，其特征在于：包括树脂集体、设置在树脂基体上的芯片座与芯片座周围的引脚；其中，引脚背面设有凹槽，凹槽内设有金属锡填充物。优选的，凹槽的长度大于切割线的宽度并且小于引脚的长度，所述的切割线为：在后续的切割分离阶段，切割刀在引线框架封装体上经过的路线的边界。对切割刀要切割的金属部分，即引脚做了挖空处理，大大减少了切割刀要切割的金属铜，金属锡填充物由于质地软，高温下易融化，能够有效保护切割刀刀面；在挖空的凹槽内利用电镀等手段填充了金属锡填充物，金属锡在切割过程中能够吸收大量的热，避免铜制的引脚在高温与撞击的共同作用下而出现毛刺现象；同时，专利技术人还发现在切割过程中凹槽内的金属锡填充物会在吸收热量后产生一定程度的熔融，并且沿着被切割后的引脚的侧面爬锡，相当于对引脚的切割面镀了一层锡膏，能够避免切割后高温的铜面氧化，影响后期SMT镀锡时的可靠性；提前在凹槽内设置的金属锡填充物在切割完毕后依然会残留在凹槽内，在切割完毕后的上锡膏阶段，利用同性金属相吸的特性，能够使锡膏轻松的沿金属锡填充物爬到引脚侧面、底面等，并且上锡膏更均匀，效率更高；整个结构中没有需要精准控制的微细结构，蚀刻过程简单、快速、成本低；切割过程不需要考虑小结构的稳定性，能进一步加快切割效率。优选的，所述的凹槽的宽度为引脚宽度的50~95%。优选的，所述的凹槽为盲孔。凹槽的大小如果能保证引脚本身外部结构的完整性，则可以在塑封时防止树脂流到凹槽内，阻碍用金属锡填充物对凹槽填充，并且树脂在凹槽内也会影响金属锡与引脚的结合力。优选的，所述的凹槽在引脚背面的形状为方形或椭圆形。优选的，所述的金属锡填充物突出于引脚的背面。突出于引脚的背面意味着更多的金属锡填充物，能够吸收更多的切割时产生的热量，进一步避免引脚被切割时的毛刺现象，并且切割过程中突出的金属锡填充物也能对引脚的背面充分保护，防止背面的铜在切割过程中在高温下被氧化。与现有技术相比，本技术所具有的有益效果是：对切割刀片更充分的保护，显著延长切割刀的使用寿命；大大减少了引脚在切割过程中毛刺现象的产生，避免了后期SMT时出现短路现象，切割面整齐平滑；提前填充的金属锡填充物可以对切割面的铜进行保护，一举两得，显著提高引线框架的铜面性能；结构简单，制备过程简单，成本低，切割过程考虑的因素少，切割效率更高。附图说明图1为现有技术引线框架封装体背面示意图。图2为实施例1引线框架封装体背面示意图。图3为实施例1引线框架封装体沿A-A剖面线的剖视图。图4为实施例2引线框架封装体沿A-A剖面线的剖视图。其中，1芯片座，2引脚，3切割线，4凹槽，5金属锡填充物，6树脂基体。具体实施方式下面结合附图2~4对本技术做进一步说明。实施例1参照附图2~3：一种引线框架封装体结构，包括树脂基体6、设置在树脂基体6上的芯片座1与芯片座1周围的引脚2；其中，引脚2背面设有凹槽4，凹槽4内设有金属锡填充物5，凹槽4的长度大于切割线3的宽度并且小于引脚2的长度，凹槽4的宽度小于引脚2的宽度；凹槽4在引脚2内的深度小于引脚2的深度；凹槽4在引脚2背面的形状为方形。在引线框架树脂封装完成后在引脚2的背面蚀刻凹槽4、电镀填充金属锡填充物5；对引线框架封装体切割分离时时，沿切割线3切割分离树脂基体6与引脚2，切割引脚2的部分时金属锡填充物5吸收大量的热，避免铜制的引脚2过热并在撞击力下产生毛刺；同时在切割过程中金属锡填充物5部分熔融，沿着引脚2的切割面“爬锡”覆盖，很好的保护了切割面，防止氧化。平均每单位长度的封装体蚀刻凹槽4与电镀填充金属锡填充物5两步所增加的工艺用时小于5分钟，引线框架切割刀片切割封装体的数量相较于没有蚀刻凹槽4的工艺中的切割数量增加3倍以上，平均每个引脚的切割用时缩短50%。实施例2参照附图4：一种引线框架封装体结构，在实施例1的基础上金属锡填充物5突出于引脚2的背面。更多的金属锡填充物5能够吸收更多的热量，引脚2的切割面毛刺更少，同时引脚2的背面也获得一层锡保护，防止氧化。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非是对本技术作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的
技术实现思路
加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本技术技术方案内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本技术技术方案的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架封装体结构，其特征在于：包括树脂基体（6）、设置在树脂基体（6）上的芯片座（1）以及芯片座（1）周围的引脚（2）；其中，引脚（2）背面设有凹槽（4），凹槽（4）内设有金属锡填充物（5）。/n

【技术特征摘要】
1.一种引线框架封装体结构，其特征在于：包括树脂基体（6）、设置在树脂基体（6）上的芯片座（1）以及芯片座（1）周围的引脚（2）；其中，引脚（2）背面设有凹槽（4），凹槽（4）内设有金属锡填充物（5）。


2.根据权利要求1所述的引线框架封装体结构，其特征在于：所述的凹槽（4）的宽度为引脚（2）宽度的50~95%。

【专利技术属性】
技术研发人员：赵耀军，陈志龙，朱林，刘旭，李景健，徐治，马伟凯，
申请(专利权)人：新恒汇电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37