一种高密度半导体引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。本实用新型专利技术通过缩短同列和同行两个相邻灯珠框架间距，达到采用传统半导体引线框架同样的尺寸内部能够设置安装1040～1600个灯珠框架，节省了大量成本，大大提高了生产效率；使用时两相邻灯珠之间的间距也就缩短了，提高了LED灯珠光效。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度半导体引线框架
本技术涉及灯珠安装保护
，尤其涉及一种高密度半导体引线框架。
技术介绍
照明灯具，几乎是在任何环境中都需要使用的一种工具。为了实现节能环保的目的，现已广泛使用LED照明灯具，LED照明灯具的光源来自能够发出不同颜色光线的LED灯珠。LED灯珠，发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能；由于LED灯珠受到外界的挤压力的作用容易损坏，一般的做法是将LED灯珠置于半导体引线框架上，通过半导体引线框架保护LED灯珠，以满足LED灯珠安装保护的要求。随着LED灯珠的发展需求，半导体引线框架的需要量也大大提高了。现有半导体引线框架的底座上设有14行30列共420个呈阵列均布的灯珠框架，同一列两相邻灯珠框架之间的距离为5～6mm，生产效率低，无法适应灯珠框架的生产需求量，且材料利用率低，成本高。而且单列只设有14个灯珠框架导致客户使用时一个条型灯珠框架最多仅能安装十四颗灯珠，使相邻两灯珠之间的距离比较宽，导致光效比较差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高密度半导体引线框架，以解决上述现有灯珠框架同一列只设有14个灯珠框架，生产效率低、材料利用率低，成本高，使用时两相邻灯珠距离宽，导致光效差的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。进一步的，所述灯珠框架包括塑胶半导体引线框架体、电镀底板和塑胶底座，所述塑胶半导体引线框架体中心设有上大下小的内锥形灯珠容纳腔，所述电镀底板与底座一体冲压成型，所述电镀底板下面设有四个L型折弯脚，该四个L型折弯脚分成两对对称设置，每对L型折弯脚的L型相向设置，所述塑胶底座底部设有四个凹槽，所述凹槽的位置与尺寸均与四个L型折弯脚的横向折弯部相匹配，所述塑胶底座设于四个L型折弯脚内，所述L型折弯脚与凹槽相卡接。进一步的，所述塑胶半导体引线框架体上平面到电镀底板上平面之间的距离设为0.42～0.45mm。进一步的，所述内锥形灯珠容纳腔的锥度设为18.9°～39°，所述内锥形灯珠容纳腔的横截面形状由四个呈圆周均布的大圆弧和四个呈圆周均布的小圆弧组成。进一步的，所述底座与电镀底板采用C2680黄铜或SPCC冷轧碳素钢薄板及钢带。进一步的，所述底座的上、下两边沿均设有一行若干个均布的装配孔，且同一行装配孔的数量与底座上每行的灯珠框架数量一致，且位置一一对应。与现有技术相比，本技术的有益效果为：1）、通过缩短同列和同行两个相邻灯珠框架间距，达到采用传统框架同样的尺寸内部能够设置安装1040～1600个灯珠框架，无论在人工成本、包装、运输等环节都实现极大的节省，大大提高了生产效率；2）通过缩短同列两相邻灯珠框架间距，使用时，条型灯珠框架上两相邻灯珠之间的间距也就缩短了，提高了LED灯珠光效；3）塑胶半导体引线框架体上平面到电镀底板上平面之间的距离设为0.42～0.45mm，扩大了照明范围。附图说明图1为本技术实施例一结构示意图；图2为本技术实施例一灯珠框架及镂空边框结构示意图；图3为本技术实施例一灯珠框架剖视结构示意图；图4为本技术实施例一单个灯珠框架立体图；图5为本技术实施例一内锥形灯珠容纳腔横截面结构示意图；图6为本技术实施例二结构示意图。图中：1、底座，2、框架区，3、灯珠框架，301、塑胶半导体引线框架体，302、内锥形灯珠容纳腔，3021、大圆弧，3022、小圆弧，303、电镀底板，3031、L型折弯脚，304、塑胶底座，3041、凹槽，4镂空边框，5、装配孔。具体实施方式在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。如图1至5所示，本技术实施例一包括底座1、灯珠框架3和镂空边框4，镂空边框4设于灯珠框架3外围，底座1上设有上、下两个框架区2，框架区2设有13行40列呈阵列均布的灯珠框架3，同一列两个相邻的灯珠框架3中心距S设为2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距L设为4.2mm。灯珠框架3包括塑胶半导体引线框架体301、电镀底板303和塑胶底座304，塑胶半导体引线框架体301中心设有上大下小的内锥形灯珠容纳腔302，内锥形灯珠容纳腔302的锥度α设为39°，内锥形灯珠容纳腔302的横截面形状由四个呈圆周均布的大圆弧3021和四个呈圆周均布的小圆弧3022组成；电镀底板303与底座1一体冲压成型，电镀底板303下面设有四个L型折弯脚3031，该四个L型折弯脚3031分成两对对称设置，每对L型折弯脚3031的L型相向设置，塑胶底座304底部设有四个凹槽3041，凹槽3041的位置与尺寸均与四个L型折弯脚3031的横向折弯部相匹配，塑胶底座304设于四个L型折弯脚3031内，L型折弯脚3031与凹槽3041相卡接。塑胶半导体引线框架体301上平面到电镀底板303上平面之间的距离H设为0.45mm。底座1的上、下两边沿均设有一行40个均布的装配孔5，且同一行装配孔5的位置与底座1上每行的灯珠框架3的位置一一对应。作为优选，底座1与电镀底板302采用C2680黄铜。本实施例一半导体引线框架上共设有1040个灯珠框架，与现有半导体引线框架相比，大大提高了生产效率，节省了成本；同一列两相邻灯珠框架3之间的间距S设为2.55mm，使用时缩短了LED灯珠间距，大大提高了LED灯珠的光效。如图6所示，本技术实施例二与实施例一基本相同，不同之处在于框架区2设有16行50列呈阵列均布的灯珠框架3，同一列两个相邻的灯珠框架3中心距S设为2.05mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距L设为3.4mm；内锥形灯珠容纳腔302的锥度α设为18.9°；塑胶半导体引线框架体301上平面到电镀底板303上平面之间的距离H设为0.42mm。作为优选，底座1与电镀底板302采用SPCC冷轧碳素钢带。本实施例二半导体引线框架上共设有1600个灯珠框架，与现有半导体引线框架相比，大大提高了生产效率，节省了成本；同一列两相邻灯珠框架3之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。


2.根据权利要求1所述的一种高密度半导体引线框架，其特征在于：所述灯珠框架包括塑胶半导体引线框架体、电镀底板和塑胶底座，所述塑胶半导体引线框架体中心设有上大下小的内锥形灯珠容纳腔，所述电镀底板与底座一体冲压成型，所述电镀底板下面设有四个L型折弯脚，该四个L型折弯脚分成两对对称设置，每对L型折弯脚的L型相向设置，所述塑胶底座底部设有四个凹槽，所述凹槽的位置与尺寸均与四个L型折弯脚的横向折弯部相匹配，所述塑胶底座设于四个L型折弯脚内，所述L型折弯脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春林，王勇，
申请(专利权)人：江西亚中电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36