封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种封装结构，包括：一导线架，包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括一第一基部与多个第一延伸部，这些第一延伸部连接该第一基部，该第二部分包括一第二基部与多个第二延伸部，这些第二延伸部连接该第二基部，且这些第一延伸部与这些第二延伸部彼此以交错方式排列；以及一晶片，设置于该导线架的该第一部分与该第二部分之上，且位于这些第一延伸部与这些第二延伸部的一部分上。该封装结构还包括多个突出物，相对于该晶片，设置于这些第一延伸部与这些第二延伸部之下，其中任一这些第一延伸部与这些第二延伸部具有该突出物。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本专利技术是有关于一种封装结构，特别是有关于一种具有梳状导线架的封装结构。
技术介绍
在平面型功率元件中，需要晶片中的金属结构来收集电流，之后，通过锡球或导线将电流引导至导线架(leadframe)或基板。然而，由于晶片中的金属结构太薄、可传输的电流受到限制、以及在金属结构上存在电压差异，造成元件的开启时间无法同步。因此，开发一种于元件操作期间可达到均匀且稳定的电流密度及电压的封装结构是众所期待的。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，提供一种封装结构，包括：一导线架，包括一第一部分与一第二部分，该第二部分相对于该第一部分，其中该第一部分包括一第一基部与多个第一延伸部，这些第一延伸部连接该第一基部，该第二部分包括一第二基部与多个第二延伸部，这些第二延伸部连接该第二基部，且这些第一延伸部与这些第二延伸部彼此以交错方式排列；以及一晶片，设置于该导线架的该第一部分与该第二部分之上，且位于这些第一延伸部与这些第二延伸部的一部分上。该封装结构还包括多个突出物，相对于该晶片，设置于这些第一延伸部与这些第二延伸部之下。任一这些第一延伸部与这些第二延伸部具有该突出物。在部分实施例中，该导线架由金属所构成。在部分实施例中，该第一部分与该第二部分为梳状结构。在部分实施例中，该第一部分的这些第一延伸部朝向该第二部分的该第二基部延伸，以及该第二部分的这些第二延伸部朝向该第一部分的该第一基部延伸。在部分实施例中，该第一部分的这些第一延伸部与该第二部分的这些第二延伸部为共平面。在部分实施例中，于该第一部分的该第一延伸部与该第二部分的该第二基部之间形成一第一距离。在部分实施例中，于该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部之间形成一第二距离。在部分实施例中，该第二距离大于或等于该第一距离的三倍。在部分实施例中，该第一距离介于100微米至500微米。在部分实施例中，该第一部分的该第一延伸部与该第二部分的该第二延伸部具有一第一厚度。在部分实施例中，该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部具有一第二厚度。在部分实施例中，该第二厚度大于或等于该第一厚度的二倍。在部分实施例中，该第二厚度与该第一厚度的差值大于或等于100微米。在部分实施例中，该第二厚度介于200微米至400微米。在部分实施例中，该第一部分的该第一延伸部具有一底部与一顶部，该底部连接该第一基部，该顶部朝向该第二部分的该第二基部，且该第一延伸部具有一宽度，自该第一延伸部的该底部至该顶部逐渐减小。在部分实施例中，该第一部分的该第一延伸部具有一长度与一平均宽度，该长度大于或等于该平均宽度的三倍。在部分实施例中，该晶片通过锡球(solderballs)设置于该第一部分中一部分的这些第一延伸部与该第二部分中一部分的这些第二延伸部上。在部分实施例中，该晶片通过铜柱(copperpillars)设置于该第一部分中一部分的这些第一延伸部与该第二部分中一部分的这些第二延伸部上。在部分实施例中，该晶片通过锡膏(solderpaste)、银膏(silverpaste)或锡条(solderbar)设置于该第一部分中一部分的这些第一延伸部与该第二部分中一部分的这些第二延伸部上。在部分实施例中，该第一部分中一部分的该第一基部还包括朝向该第二部分的该第二基部延伸至一位置，位于该第一部分中一部分的该第一延伸部下方。在部分实施例中，于该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部之间形成一第三距离。在部分实施例中，该第三距离大于或等于该第一距离的三倍。在部分实施例中，本专利技术封装结构还包括一封装材料，覆盖该晶片与一部分的该导线架，露出该导线架中该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部的侧壁与底部。在部分实施例中，这些突出物由金属或绝缘材料所构成。在部分实施例中，这些突出物、该第一基部与该第二基部为共平面，并露出于该封装材料。在部分实施例中，本专利技术封装结构还包括一绝缘材料层，覆盖这些突出物，当这些突出物由金属所构成时。在部分实施例中，本专利技术封装结构还包括一绝缘材料层，覆盖这些突出物，当这些突出物由金属所构成时，其中这些突出物与该绝缘材料层埋入于该封装材料中。根据本专利技术的一实施例，提供一种封装结构，包括：一导线架，包括一第一部分与一第二部分，该第二部分相对于该第一部分，其中该第一部分包括一第一基部与多个第一延伸部，这些第一延伸部连接该第一基部，该第二部分包括一第二基部与多个第二延伸部，这些第二延伸部连接该第二基部，且这些第一延伸部与这些第二延伸部彼此以交错方式排列；以及一晶片，设置于该导线架的该第一部分与该第二部分之上，且位于这些第一延伸部与这些第二延伸部的一部分上。这些第一延伸部与这些第二延伸部具有一第一厚度，该第一基部与该第二基部具有一第二厚度，且该第二厚度与该第一厚度相等。在部分实施例中，本专利技术封装结构还包括一封装材料，覆盖该晶片与一部分的该导线架，露出该导线架中该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部的侧壁与底部，以及露出该导线架中该第一部分的这些第一延伸部与该第二部分的这些第二延伸部的底部。在部分实施例中，这些第一延伸部、该第一基部、这些第二延伸部与该第二基部为共平面，并露出于该封装材料。在部分实施例中，本专利技术封装结构还包括一绝缘材料层，覆盖露出的这些第一延伸部与这些第二延伸部。在部分实施例中，这些第一延伸部与这些突出物为一体成型，以及这些第二延伸部与这些突出物为一体成型。在本专利技术中，提供一种具有特定梳状导线架(comb-likeleadframe)的封装结构。考虑了导线架某些适当的尺寸与结构配置，例如，第一基部与第二基部之间的距离可大于或等于第一延伸部与第二基部之间的距离的大约三倍，或是基部的厚度可大于或等于延伸部的厚度的大约二倍，或是延伸部的形状可为梯形等。当第一延伸部与第二基部之间的距离小于100微米时，此时的绝缘距离是不足的。当第一延伸部与第二基部之间的距离大于500微米时，晶片的尺寸将超出延伸部的范围，而影响电流传导。当延伸部的厚度太厚时，则存在着延伸部从封装材料中暴露出来的风险。此外，梯形的延伸部提高了电流传导的均匀性。当沿着晶片收集电流时，它不再仅能通过晶片中的金属结构传导，而是加上与金属结构结合的“延伸部”。通过将晶片设置在从梳状导线架的基部突出的延伸部上，可增加供电流传导的总横截面积，进一步增加载流。截面积的增加也同时降低了电阻值，因此，当电流通过时，所产生的电压差会减小，进而在元件操作期间达到均匀且稳定的电流密度与电压。在本专利技术中，以金属或绝缘材料所构成的突出物进一步支撑导线架的延伸部，可避免在封装制程中造成延伸部的形变及弯曲，提升产率。当突出物为金属时，由于额外设置的绝缘材料层覆盖突出物，因此，仍可维持足够的绝缘距离。当延伸部的厚度增加至与基部的厚度相同时，除了较厚的延伸部可避免形变及弯曲之外，其以绝缘材料层覆盖，亦可维持足够的绝缘距离。附图说明图1是根据本专利技术的一实施例，一种封装结构的剖面图；图2是根据本专利技术的一实施例，一种封装结构的导线架本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n一导线架，包括一第一部分与一第二部分，该第二部分相对于该第一部分，其中该第一部分包括一第一基部与多个第一延伸部，所述多个第一延伸部连接该第一基部，该第二部分包括一第二基部与多个第二延伸部，所述多个第二延伸部连接该第二基部，且所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部彼此以交错方式排列；/n一晶片，设置于该导线架的该第一部分与该第二部分之上，且位于所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部的一部分上；以及/n多个突出物，相对于该晶片，设置于所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部之下，其中任一所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部具有该突出物。/n

【技术特征摘要】
20200210 US 16/786,139;20201027 US 17/081,5461.一种封装结构，其特征在于，包括：
一导线架，包括一第一部分与一第二部分，该第二部分相对于该第一部分，其中该第一部分包括一第一基部与多个第一延伸部，所述多个第一延伸部连接该第一基部，该第二部分包括一第二基部与多个第二延伸部，所述多个第二延伸部连接该第二基部，且所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部彼此以交错方式排列；
一晶片，设置于该导线架的该第一部分与该第二部分之上，且位于所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部的一部分上；以及
多个突出物，相对于该晶片，设置于所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部之下，其中任一所述多个第一延伸部与所述多个第二延伸部具有该突出物。


2.根据权利要求1的封装结构，其特征在于，于该第一部分的该第一延伸部与该第二部分的该第二基部之间形成一第一距离。


3.根据权利要求2的封装结构，其特征在于，于该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部之间形成一第二距离。


4.根据权利要求3的封装结构，其特征在于，该第二距离大于或等于该第一距离的三倍。


5.根据权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一部分的该第一延伸部与该第二部分的该第二延伸部具有一第一厚度。


6.根据权利要求5的封装结构，其特征在于，该第一部分的该第一基部与该第二部分的该第二基部具有一第二厚度。


7.根据权利要求6的封装结构，其特征在于，该第二厚度大于或等于该第一厚度的二倍。


8.根据权利要求7的封装结构，其特征在于，该第二厚度与该第一厚度的差值大于或等于100微米。


9.根据权利要求6的封装结构，其特征在于，该第二厚度介于200微米至400微米。


10.根据权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一部分的该第一延伸部具有一底部与一顶部，该底部连接该第一基部，该顶部朝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李芃昕，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71