引线框制造技术

课题在于提供一种引线框，其为在引线框基材的上表面、侧面、下表面中在减少成本、操作时间、提高生产率的同时在侧面实施了银镀覆作为最表层的电镀的引线框，能够将包括银镀层的镀层整体的厚度抑制为较薄，而且使得与密封树脂的密合性显著提高。解决手段为在由铜系材料构成的引线框基材(10)的上表面、侧面、下表面中，在上表面和下表面具备镍、钯、金依次层叠而成的镀层(12、13)，同时，在侧面具备具有针状的突起组的粗糙化银镀层(11)作为最表层镀层，粗糙化银镀层具有在晶体取向<001>、<111>、<101>各自的比率中晶体取向<101>的比率最高的晶体结构。

【技术实现步骤摘要】
引线框
本专利技术涉及一种半导体用引线框，引线框基材的上表面、侧面、下表面中在侧面实施了银镀覆作为最表层镀敷。
技术介绍
引线框是半导体元件搭载用部件之一。以往，大量使用在引线框基材的整个面或者一部分实施了银镀覆作为最表层镀敷的引线框，但银或者含银合金与密封树脂的密合性差，引线框与密封树脂容易由于冲击、热而剥离，因此可靠性存在问题。对于这个问题，已知下述方法：利用微蚀刻处理使引线框基材的表面成为形成了凹凸的粗糙化状态，从而产生物理锚定效果，提高与密封树脂的密合性。可是，引线框的制造中大量使用的引线框基材是由含硅的铜合金形成的，会由于微蚀刻处理而产生被称为污物(Smut)的杂质残渣。因此，无法使用通过微蚀刻处理使由铜合金构成的引线框基材的表面成为形成了凹凸的粗糙化状态的方法。此外，使用由铜合金构成的引线框基材的引线框的情况下，为了确保与接合半导体元件时所用的金属线的良好接合性，必须使基底的由铜合金构成的引线框基材中存在的铜的扩散的影响最小化。因此，不设置基底镀层而直接将由银或者含银合金等贵金属或者贵金属合金构成的镀层形成在由铜合金构成的引线框基材上的情况下，一般有必要使该由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度为2μm以上。另一方面，近年来，半导体封装为了小型化、低成本化，要求轻薄短小的高密度安装。为了小型化，要求使镀层的厚度更薄，从低成本化的观点出发，也要求由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度更薄。使用了由铜合金构成的引线框基材的引线框中，作为用于使由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度薄的对策之一，有下述方法：作为由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的基底镀层，由具有抑制铜的扩散的效果的镍或者含有镍的合金形成镀层，从而使由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度薄。可是，即使使得由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度薄，也无法提高与树脂的密合性。作为与这些问题相关的现有技术，专利文献1中公开了关于由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的基底镀层的下述技术：在铜合金的整个面形成致密且平坦的镍镀层，在其上形成纵向的晶体生长比横向的晶体生长优先的镍镀层，使表面成为具有凹凸的面，从而产生物理锚定效果，提高与密封树脂的密合性。此外，专利文献2中公开了关于由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的基底镀层的下述技术：在铜合金上形成山型的镍镀层后，在其上形成流平性好的镍镀层从而使凹凸形状呈半球形，从而提高与密封树脂的密合性并防止环氧树脂成分的渗出。此外，专利文献3中公开了在表面粗糙的镍层上形成由金层和银层构成的贵金属镀层的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第3259894号公报专利文献2：日本特许第4853508号公报专利文献3：日本特许第5151438号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题这些专利文献的技术是下述技术：为了提高与树脂的密合性，以表面成为粗糙化面的方式形成基底镀层，以追随粗糙化面的形状的方式在其上层叠贵金属镀层。可是，为了将基底镀层表面的粗糙化面形成为具有即使层叠有贵金属镀层也能够提高与树脂的密合性的凹凸形状的面，有必要较厚地形成基底镀层，而且，由于为了使基底镀层成为粗糙化面的镀覆速度慢，因此操作时间会增加而成本提高，生产率下降。此外，作为用于提高与树脂的密合性的其他方案，也考虑在引线框基材的表面形成平滑的贵金属镀层后，使贵金属镀层的表面粗糙化，但为了将贵金属镀层的表面形成为具有能够提高与树脂的密合性的凹凸形状的粗糙化面，有必要将形成粗糙化面之前的平滑的贵金属镀层较厚地形成，因此贵金属镀层的成本增加，生产率会下降。而且，如果在形成平滑的镀层后再使表面粗糙化，则粗糙化时除去的镀敷金属会被浪费。但是，本专利技术人进行了反复试验，结果明确了还存在下述余地：与上述各专利文献公开的技术相比，能够减少用于形成表面的粗糙化面的成本、操作时间、提高生产率，同时，将镀层整体的厚度控制为较薄，且使得与密封树脂的密合性显著提高。本专利技术是鉴于上述课题而做出的，其目的在于提供一种引线框，其为引线框基材的上表面、侧面、下表面中在侧面实施了银镀覆作为最表层镀敷的引线框，能够减少成本、操作时间，提高生产率，同时将包括银镀层的镀层整体的厚度抑制为较薄，而且使得与密封树脂的密合性显著提高。用于解决课题的方法为了解决上述课题，本专利技术的引线框的特征在于：由铜系材料构成的引线框基材的上表面、侧面、下表面中在前述上表面和下表面具备镍、钯、金依次层叠而成的镀层，同时，在前述侧面具备具有针状的突起组的粗糙化银镀层作为最表层镀层，该粗糙化银镀层具有在晶体取向<001>、<111>、<101>各自的比率中晶体取向<101>的比率最高的晶体结构。此外，优选地，本专利技术的引线框中，前述粗糙化银镀层的平均晶体粒径小于0.28μm。此外，优选地，本专利技术的引线框中，前述引线框基材与前述粗糙化银镀层之间具有基底镀层。专利技术的效果根据本专利技术，可获得一种引线框，其为引线框基材的上表面、侧面、下表面中在侧面实施了银镀覆作为最表层镀敷的引线框，能够减少成本、操作时间，提高生产率，同时将包括银镀层的镀层整体的厚度抑制为较薄，而且使得与密封树脂的密合性显著提高。附图说明图1为显示本专利技术的第1实施方式涉及的引线框的一例的图，(a)为顶视图、(b)为底视图、(c)为示意性显示(a)的A-A截面的说明图。图2为显示本专利技术的第1实施方式涉及的排列成多列的引线框的一例的平面图。图3为显示本专利技术的第1实施方式涉及的半导体元件安装用的引线框的制造步骤的一例和其他例的说明图。图4为显示使用本专利技术的第1实施方式涉及的半导体元件安装用引线框的半导体封装的制造步骤的一例和其他例的说明图。图5为显示本专利技术的第2实施方式涉及的引线框的一例的图，(a)为顶视图、(b)为底视图、(c)为示意性显示(a)的B-B截面的说明图。图6为显示本专利技术的第2实施方式涉及的排列成多列的引线框的一例的平面图。图7为显示本专利技术的第2实施方式涉及的半导体元件安装用的引线框的制造步骤的一例和其他例的说明图。图8为显示使用本专利技术的第2实施方式涉及的半导体元件安装用引线框的半导体封装的制造步骤的一例的说明图。符号说明1-引线框；2-半导体封装；10-引线框基材(金属板)；10a-内部连接用端子部；10b-外部连接用端子部；10c-衬垫部；11-粗糙化银镀层；12-内部连接用镀层；13-外部连接用镀层；14-焊锡；15-密封树脂；16-芯片粘合膏(DieBond)；17-接合线；20-半导体元件；31-1-第1电镀用抗蚀剂掩模；32-蚀刻(且兼为电镀)用抗蚀剂掩模；R1-第1抗蚀剂层；R2-第2抗蚀剂层。具体实施方式在说明实施方式之前，先对导出本专利技术的经过和本专利技术的作用效果进行说明。本专利技术人认为，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框，其特征在于，由铜系材料构成的引线框基材的上表面、侧面、下表面中在所述上表面和下表面具备镍、钯、金依次层叠而成的镀层，同时，在所述侧面具备具有针状的突起组的粗糙化银镀层作为最表层镀层，该粗糙化银镀层具有在晶体取向<001>、<111>、<101>各自的比率中晶体取向<101>的比率最高的晶体结构。/n

【技术特征摘要】
20190322 JP 2019-0556861.一种引线框，其特征在于，由铜系材料构成的引线框基材的上表面、侧面、下表面中在所述上表面和下表面具备镍、钯、金依次层叠而成的镀层，同时，在所述侧面具备具有针状的突起组的粗糙化银镀层作为最表层镀层，该粗糙化银镀层具有在晶体取向<001>、&...

【专利技术属性】
技术研发人员：菱木薰，大泷启一，佐佐木英彦，留冈浩太郎，
申请(专利权)人：大口电材株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP