一种高密度引线框架单元及引线框架结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密度引线框架单元及引线框架结构，其中高密度引线框架单元包括基岛，还包括均匀分布在基岛两侧的十六个引脚，十六个引脚分别垂直于基岛，且每侧八个引脚之间通过连接筋连接，基岛向下凹陷，且与引脚之间存在距离，基岛的上表面还具有第一镀银层；优点是其能实现高性能的同时兼顾散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度引线框架单元及引线框架结构
本技术涉及集成电路
，尤其涉及到一种高密度引线框架单元及引线框架结构。
技术介绍
集成电路引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，是电子信息产业中重要的基础材料，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架。引线框架的体积、导电性能和散热性能等都会影响封装后功率器件的性能。目前常见的引线框架结构是由多个引线框架单元呈矩阵分布构成的，每个引线框架单元则由位于中间的基岛以及分布在基岛周侧的多个引脚组成，其中基岛在封装过程中为芯片提供机械支撑，而引脚则是连接芯片到封装外的电学通路，就引脚而言，每一个引脚末端都与芯片上的一个焊盘通过引线相连接，该端称为内引脚，引脚的另一端就是所谓引脚，它提供与印刷电路板的机械和电学连接。而近年来，随着微电子技术的迅速发展，集成电路复杂度增加，集成电路具有了更小的外形和更高的性能，若要提高功率的控制和输出，则需要将引脚的数量从目前的八个扩展到八个以上，首要的就是需要解决引线框架上的散热问题。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种高密度引线框架单元及引线框架结构，其能实现高性能的同时兼顾散热效果。为达到以上目的，本技术采用的技术方案为：一种高密度引线框架单元，包括基岛，还包括均匀分布在所述的基岛两侧的十六个引脚，十六个所述的引脚分别垂直于所述的基岛，且每侧八个所述的引脚之间通过连接筋连接，所述的基岛位于所述的引脚的下方，且与所述的引脚之间存在距离，所述的基岛的上表面还具有第一镀银层。十六个所述的引脚按顺时针排列分为第一引脚至第十六引脚，所述的第一引脚至所述的第八引脚位于同一侧，所述的第九引脚至所述的第十六引脚位于同一侧，每个所述的引脚的端部均设置有焊点，其中第一引脚、第八引脚、第九引脚和第十六引脚的焊点的面积大于其他引脚的焊点。该结构中，焊点与后续放置的芯片通过金线进行连接，第一引脚、第八引脚、第九引脚和第十六引脚上述四个引脚位于基岛的边侧，它们的焊点的面积大于其他引脚的焊点面积，使得能够连接更多金线，从而提高信号输出能力。第二引脚至第七引脚以及第十引脚至第十五引脚的焊点均为T字型焊点。该结构中，T字型焊点能够起到保护作用，在拉胶工艺时防止分层和金线受损，增强焊点与引脚的结合力。每个所述的焊点的上表面上具有第二镀银层。第二镀银层不仅能够保护引脚不受损伤，增强稳定性，且能够增强引脚的导电性能，有利于后续焊接，同时还提高了散热效果。所述的引脚的宽度为0.22～0.24mm，同一侧相邻所述的引脚之间的中心距为0.635mm。由此实现引脚的合理排布，其中，引脚的宽度优选的是0.23mm。所述的基岛的长度为3.698～3.902mm，所述的基岛的宽度为2.412～2.416mm，所述的基岛的深度为0.650～0.713mm。该结构中，基岛的面积增大，这就使封装厂在面对客户的时候有更多的芯片尺寸及种类可以选择，扩大了产品应用范围，其中基岛的深度0.650～0.713mm，优选采用0.675mm，由此能够有更多的间隙进行散热，以提高散热效果。一种引线框架结构，包括支架本体和多列引线框架组，多列所述的引线框架组间隔固定设置在所述的支架本体内，相邻所述的引线框架组之间通过纵向筋连接，且每个所述的引线框架组内具有多个高密度引线框架单元，所述的高密度引线框架单元呈阵列分布。纵向筋加强了整体和局部强度，便于后续加工，引线框架组之间排布紧凑，大大增加了单位产量，降低单个成本。所述的引线框架结构内包含十六列所述的引线框架组，每列所述的引线框架组内包含2*8个所述的高密度引线框架单元，同一列所述的引线框架组内上下相邻高密度引线框架单元之间的中心距为7.95～8.05mm，同一列所述的引线框架组内左右相邻高密度引线框架单元之间的中心距为6.30～6.40mm。该结构中，引线框架结构的长度为238mm，宽度为70mm，整个引线框架结构内能够排布256个高密度引线框架单元，大大增加了单位产量，节约了原材料，降低了成本。每个所述的纵向筋上分别开设有多个用于释放注胶时应力的通孔。所述的支架本体的上下两边分别开设有多个定位孔。该结构中，两边的定位孔分别水平间隔分布，便于后续封装。与现有技术相比，本技术的优点在于：高密度引线框架单元中引脚的数量较普通的增加了一倍，封装后的芯片性能得以提高；引脚与基岛之间存在上下方向上的距离，封装芯片后，得以有空间进行散热；第一镀银层的设置能够保护芯片，增强稳定性，且能够增强散热和导电性能；引线框架支架分布合理，连接筋加强了各个引脚之间的稳定性和局部强度。附图说明图1是引线框架结构的结构示意图；图2是引线框架组的结构示意图；图3是高密度引线框架单元的结构示意图；图4是基岛的侧视图。具体实施方式以下结合附图实施例对专利技术作进一步详细描述。实施例一：如图所示，一种高密度引线框架单元1，包括基岛2，还包括均匀分布在基岛2两侧的十六个引脚3，十六个引脚3分别垂直于基岛2，且每侧八个引脚3之间通过连接筋4连接，基岛2向下凹陷，且与引脚3之间存在距离，基岛2的上表面还具有第一镀银层21。实施例二：如图所示，其他结构与实施例一相同，其不同之处在于，十六个引脚按顺时针排列分为第一引脚至第十六引脚，第一引脚至第八引脚位于同一侧，第九引脚至第十六引脚位于同一侧，每个引脚的端部均设置有焊点5，其中第一引脚31、第八引脚32、第九引脚33和第十六引脚34的焊点5的面积大于其他引脚的焊点5。该结构中，焊点5与后续放置的芯片通过金线进行连接，第一引脚、第八引脚、第九引脚和第十六引脚上述四个引脚位于基岛2的边侧，它们的焊点5的面积大于其他引脚的焊点5面积，使得能够连接更多金线，从而提高信号输出能力。本实施例中，第二引脚至第七引脚以及第十引脚至第十五引脚的焊点5均为T字型焊点。该结构中，T字型焊点能够起到保护作用，在拉胶工艺时防止分层和金线受损，增强焊点5与引脚的结合力，T字型焊点5的宽度为0.40~0.45mm。本实施例中，第一引脚31、第八引脚32、第九引脚33和第十六引脚34的焊点的长度为0.82mm。本实施例中，每个焊点5的上表面上具有第二镀银层51。第二镀银层51不仅能够保护引脚不受损伤，增强稳定性，且能够增强引脚的导电性能，有利于后续焊接，同时还提高了散热效果。实施例三：如图所示，其他结构与实施例二相同，其不同之处在于，引脚3的宽度为0.22～0.24mm，同一侧相邻引脚3之间的中心距为0.635mm。由此实现引脚的合理排布，其中，引脚3的宽度A优选的是0.23mm，同一侧相邻引脚3之间的中心距B为0.635mm。本实施例中，基岛2的长度L为3.698～3.902mm，基岛2的宽度W为2.412～2.416mm，基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度引线框架单元，包括基岛，其特征在于：还包括均匀分布在所述的基岛两侧的十六个引脚，十六个所述的引脚分别垂直于所述的基岛，且每侧八个所述的引脚之间通过连接筋连接，所述的基岛向下凹陷，使得与所述的引脚之间存在距离，所述的基岛的上表面还具有第一镀银层。/n

【技术特征摘要】
1.一种高密度引线框架单元，包括基岛，其特征在于：还包括均匀分布在所述的基岛两侧的十六个引脚，十六个所述的引脚分别垂直于所述的基岛，且每侧八个所述的引脚之间通过连接筋连接，所述的基岛向下凹陷，使得与所述的引脚之间存在距离，所述的基岛的上表面还具有第一镀银层。


2.根据权利要求1所述的一种高密度引线框架单元，其特征在于：十六个所述的引脚按顺时针排列分为第一引脚至第十六引脚，所述的第一引脚至所述的第八引脚位于同一侧，所述的第九引脚至所述的第十六引脚位于同一侧，每个所述的引脚的端部均设置有焊点，其中所述的第一引脚、第八引脚、第九引脚和第十六引脚的焊点的面积大于其他引脚的焊点。


3.根据权利要求2所述的一种高密度引线框架单元，其特征在于：第二引脚至第七引脚以及第十引脚至第十五引脚的焊点均为T字型焊点。


4.根据权利要求2或3所述的一种高密度引线框架单元，其特征在于：每个所述的焊点的上表面上具有第二镀银层。


5.根据权利要求1所述的一种高密度引线框架单元，其特征在于：所述的引脚的宽度为0.22～0.24mm，同一侧相邻所述的引脚之间的中心距为0.635mm。


6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘龙慧，冯军民，江焕辉，
申请(专利权)人：宁波德洲精密电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33