一种集成电路引线框架单元及引线框架结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成电路引线框架单元及引线框架结构，集成电路引线框架单元包括基岛和八个均匀分布的基岛上下两侧的引脚，其特征在于：基岛上表面的中心区域设置有镀铜层，基岛在镀层铜的周边设置有第一镀银层，基岛的左右两侧分别固定有连接脚，八个引脚分别垂直于基岛，且每侧四个引脚之间通过连接筋连接；优点是材料消耗较少，引线强度较高，电性能和散热性能较好。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路引线框架单元及引线框架结构
本技术涉及集成电路
，尤其涉及到一种集成电路引线框架单元及引线框架结构。
技术介绍
集成电路引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，是电子信息产业中重要的基础材料，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架。引线框架的体积、导电性能和散热性能等都会影响封装后功率器件的性能。目前常见的引线框架结构是由多个引线框架单元呈矩阵分布构成的，每个引线框架单元则由位于中间的基岛以及分布在基岛周侧的多个引脚组成，其中基岛在封装过程中为芯片提供机械支撑，而引脚则是连接芯片到封装外的电学通路，就引脚而言，每一个引脚末端都与芯片上的一个焊盘通过引线相连接，该端称为内引脚，引脚的另一端就是所谓引脚，它提供与印刷电路板的机械和电学连接。而近年来，随着微电子技术的迅速发展，集成电路复杂度增加，集成电路具有更小的外形和更高的性能，这就对集成电路塑封引线框架提出了更高的要求，引线框架应具备更高的电性能和更高的可靠性，因此引线框架要不断的进行技术更新，并严格控制质量，致力于更好的适应封装技术和集成电路发展的需求。因此设计出一种减少材料消耗、引线强度更高、电性能和散热性能更好的引线框架是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种材料消耗较少，引线强度较高，电性能和散热性能较好的集成电路引线框架单元及引线框架结构。>为达到以上目的，本技术采用的技术方案为：一种集成电路引线框架单元，包括基岛和八个均匀分布的所述的基岛上下两侧的引脚，所述的基岛上表面的中心区域设置有镀铜层，所述的基岛在所述的镀铜层的周边设置有第一镀银层，所述的基岛的左右两侧分别固定有连接脚，八个所述的引脚分别垂直于所述的基岛，且每侧四个所述的引脚之间通过连接筋连接。所述的基岛向下凹陷设置，所述的连接脚包括倾斜段和水平段，所述的倾斜段倾斜连接于所述的基岛，所述的水平段水平连接于所述的倾斜段。该结构中，基岛向下凹陷设置，使得引脚与基岛之间存在上下方向上的距离，封装芯片后，得以有空间进行散热，连接脚用于将基岛与引线框架连接，其分为一体连接的倾斜段和水平段，其中倾斜段使得基岛呈向下凹陷的状态，同时也便于后续封装裁剪。所述的基岛的长度为3.3～3.5mm，所述的基岛的宽度为2.41～2.42mm，所述的基岛的凹陷深度为0.67～0.68mm，所述的倾斜段与所述的基岛之间的夹角为45～55°。该结构中，基岛的面积增大，这就使封装厂在面对客户的时候有更多的芯片尺寸及种类可以选择，扩大了产品应用范围，其中基岛的深度为0.67～0.68mm，优选采用0.675mm，由此能够有更多的间隙进行散热，以提高散热效果，倾斜段与基岛的倾斜角度优先为50°，在实现基岛与引线框架可靠连接的同时也便于后续封装工艺进行。每个所述的引脚与所述的基岛之间留有间隙，且每个所述的引脚的端部分别设置有焊点。焊点的设置使得能够连接更多金线，从而提高信号输出能力。所述的焊点均为T字型焊点，且每个所述的焊点上均设置有第二镀银层。该结构中，T字型焊点能够起到保护作用，在拉胶工艺时防止分层和金线受损，增强焊点与引脚的结合力，第二镀银层的设置增强了引脚与封装芯片之间的导电性和稳定性。所述的引脚的宽度为0.38～0.42mm，同一侧相邻所述的引脚之间的中心距为1.27mm。由此实现引脚的合理排布，其中，引脚的宽度优选的是0.40mm。一种引线框架结构，包括支架本体和多列引线框架组，多列所述的引线框架组间隔固定设置在所述的支架本体内，相邻所述的引线框架组之间通过纵向筋连接，且每个所述的引线框架组内具有多个集成电路引线框架单元，所述的集成电路引线框架单元呈阵列分布。纵向筋加强了整体和局部强度，便于后续加工，引线框架组之间排布紧凑，大大增加了单位产量，降低单个成本。所述的引线框架结构内包含十六列所述的引线框架组，每列所述的引线框架组内包含2*8个所述的集成电路引线框架单元。该结构中，一个引线框架组能够容纳十六个集成电路引线框架单元，合理布局的情况下降低了生产成本。所述的支架本体的长度为237～240mm，所述的支架本体的宽度为68～71mm，同一列所述的引线框架组内上下相邻集成电路引线框架单元之间的中心距为7.95～8.05mm，同一列所述的引线框架组内左右相邻集成电路引线框架单元之间的中心距为6.30～6.40mm。该结构中，引线框架结构的长度为238mm，宽度为70mm，上下相邻集成电路引线框架单元之间的中心距为8mm，左右相邻集成电路引线框架单元之间的中心距为6.35mm，整个引线框架结构内能够排布256个集成电路引线框架单元，大大增加了单位产量，节约了原材料，降低了成本。所述的支架本体的上下两边分别开设有多个定位孔。该结构中，两边的定位孔分别水平间隔分布，便于后续定位封装。与现有技术相比，本技术的优点在于：镀铜层的设置增强了芯片与基岛之间的导电性，利于提高信号的输送；第一镀银层的设置能够保护芯片，增强稳定性，且能够增强散热和导电性能；连接脚的设置则能将基岛与引线框架进行可靠连接，每侧四个引脚之间通过连接筋连接，则提高了各个引脚之间的稳定性和局部强度。附图说明图1是引线框架结构的结构示意图；图2是引线框架组的结构示意图；图3是集成电路引线框架单元的结构示意图；图4是基岛的侧视图。具体实施方式以下结合附图实施例对专利技术作进一步详细描述。实施例一：如图所示，一种集成电路引线框架单元1，包括基岛2和八个均匀分布的基岛2上下两侧的引脚3，基岛2上表面的中心区域设置有镀铜层21，基岛2在镀铜层的周边设置有第一镀银层22，基岛2的左右两侧分别固定有连接脚4，八个引脚3分别垂直于基岛2，且每侧四个引脚3之间通过连接筋31连接。实施例二：如图所示，其他结构与实施例一相同，其不同之处在于，基岛2向下凹陷设置，连接脚4包括倾斜段41和水平段42，倾斜段41倾斜连接于基岛2，水平段42水平连接于倾斜段41。该结构中，基岛2向下凹陷设置，使得引脚3与基岛2之间存在上下方向上的距离，封装芯片后，得以有空间进行散热，连接脚4用于将基岛2与引线框架连接，其分为一体连接的倾斜段41和水平段42，其中倾斜段41使得基岛2呈向下凹陷的状态，同时也便于后续封装裁剪。本实施例中，基岛2的长度为3.3～3.5mm，基岛2的宽度为2.41～2.42mm，基岛2的凹陷深度为0.67～0.68mm，倾斜段41与基岛2之间的夹角为45～55°。该结构中，基岛2的面积增大，这就使封装厂在面对客户的时候有更多的芯片尺寸及种类可以选择，扩大了产品应用范围，其中基岛2的深度H为0.67～0.68mm，优选采用0.675mm，由此能够有更多的间隙进行散热，以提高散热效果，倾斜段41与基岛2的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路引线框架单元，包括基岛和八个均匀分布的所述的基岛上下两侧的引脚，其特征在于：所述的基岛上表面的中心区域设置有镀铜层，所述的基岛在所述的镀铜层的周边设置有第一镀银层，所述的基岛的左右两侧分别固定有连接脚，八个所述的引脚分别垂直于所述的基岛，且每侧四个所述的引脚之间通过连接筋连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路引线框架单元，包括基岛和八个均匀分布的所述的基岛上下两侧的引脚，其特征在于：所述的基岛上表面的中心区域设置有镀铜层，所述的基岛在所述的镀铜层的周边设置有第一镀银层，所述的基岛的左右两侧分别固定有连接脚，八个所述的引脚分别垂直于所述的基岛，且每侧四个所述的引脚之间通过连接筋连接。


2.根据权利要求1所述的一种集成电路引线框架单元，其特征在于：所述的基岛向下凹陷设置，所述的连接脚包括倾斜段和水平段，所述的倾斜段倾斜连接于所述的基岛，所述的水平段水平连接于所述的倾斜段。


3.根据权利要求2所述的一种集成电路引线框架单元，其特征在于：所述的基岛的长度为3.3～3.5mm，所述的基岛的宽度为2.41～2.42mm，所述的基岛的凹陷深度为0.67～0.68mm，所述的倾斜段与所述的基岛之间的夹角为45～55°。


4.根据权利要求1所述的一种集成电路引线框架单元，其特征在于：每个所述的引脚与所述的基岛之间留有间隙，且每个所述的引脚的端部分别设置有焊点。


5.根据权利要求4所述的一种集成电路引线框架单元，其特征在于：所述的焊点均为T字型焊点，且每个所述的焊点上均设置有第二镀银层。

【专利技术属性】
技术研发人员：潘龙慧，冯军民，江焕辉，
申请(专利权)人：宁波德洲精密电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33