The invention discloses a method for making ultra-narrow line width and line spacing graphics of metallized ceramic substrate, which belongs to the field of power electronic device packaging. In the normal production process of metallized ceramic substrate products, due to the need to process circuit graphics on the ceramic substrate, there will inevitably be etching process. When the copper thickness reaches more than 300 microns, the line width and distance of the graphics are guaranteed to be more than 500 microns. However, in the field of high-end electronic packaging, the requirement of line width and line spacing is less than 100 microns, which limits the application of metallized ceramic substrates in these high-end electronic packaging fields. In view of this phenomenon, the present invention provides a method for making ultra-narrow linewidth and line spacing of the circuit pattern of metallized ceramic substrates. In this scheme, the metallized layer is etched by combining laser etching with chemical etching, thus achieving the purpose of etching fine linewidth and line spacing, greatly improving the lower limit value and accuracy of line width and line spacing, and widening the application field of metallized ceramic substrates.
【技术实现步骤摘要】
一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法
本专利技术涉及电力电子器件封装领域,更具体地说,涉及一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法。
技术介绍
在正常的金属化陶瓷基板产品生产过程中,由于要在陶瓷基板上加工出来电路图形,批量生产的工艺中不可避免的会有蚀刻工序,目前现有技术是将金属化陶瓷基板通过贴膜、曝光、显影等方式将图形转移到金属化层上,然后通过化学蚀刻再将图形蚀刻出来。技术缺陷:金属化层厚度超过100μm,通过常规化学蚀刻有保障的线宽、线距约为200μm,金属化层厚度达300μm后,通过化学蚀刻有保障的线宽线距为500μm,当金属化厚度达到700μm甚至更厚时,传统的化学蚀刻已经不适合加工金属化陶瓷基板的线路了,因为侧蚀现象尤为严重,尺寸精度与误差无法估计。现有技术也有相应的技术提供窄间距的线路,如中国专利申请,申请号201710711171.9,公开日2017年12月12日,公开了提供一种高可靠度新型激光蚀刻工艺,包括以下步骤,S1:预备待加工的FPC电路板、PCB电路板或陶瓷集成电路板;S2:准备用于进行蚀刻加工的激光器;S3:对激光器发射的激光进行整形处理,形成平顶光与高斯光;S4:采用激光器对FPC电路板、PCB电路板或陶瓷集成电路板进行蚀刻加工,去除对应电路板上的保护膜,Soldermask油墨层以及阻焊层,露出金属Pad;且金属Pad与金属Pad间形成阻焊堤;实际操作过程中,焊盘可以小型化,做到0.1mm以下,非常有利于后续的线路密集化处理,且PI表面的平整度为+/-5微米,可以显著提高焊接性与元件的拉力值,减少Underfil ...
【技术保护点】
1.一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法,其步骤如下:S1:将需要加工出来的超窄线宽、线距电路图形在金属化陶瓷基板的金属化层以非完全蚀刻方式直接加工出来;S2:将阻蚀浆料整体印刷覆盖在蚀刻出来的电路图形上,然后烘干、硬化;S3:将印刷或覆盖有阻蚀材料的金属化陶瓷基板再经过常规的化学蚀刻快速去除掉残余的金属,实现完全蚀刻;S4:将经过完全蚀刻的金属化陶瓷基板通过化学处理或物理处理去除阻蚀材料,完成金属化陶瓷基板超窄线距图形的制作。
【技术特征摘要】
1.一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法,其步骤如下:S1:将需要加工出来的超窄线宽、线距电路图形在金属化陶瓷基板的金属化层以非完全蚀刻方式直接加工出来;S2:将阻蚀浆料整体印刷覆盖在蚀刻出来的电路图形上,然后烘干、硬化;S3:将印刷或覆盖有阻蚀材料的金属化陶瓷基板再经过常规的化学蚀刻快速去除掉残余的金属,实现完全蚀刻;S4:将经过完全蚀刻的金属化陶瓷基板通过化学处理或物理处理去除阻蚀材料,完成金属化陶瓷基板超窄线距图形的制作。2.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法,其特征在于:步骤S1中采用激光蚀刻与化学蚀刻相结合的方式将线路图形以非完全蚀刻方式将超窄线宽、线距图形蚀刻出来,以实现非完全蚀刻。3.根据权利要求2所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法,其特征在于:步骤S1中采用化学蚀刻方式将线路图形以浅层蚀刻方式蚀刻出来后,再采用激光蚀刻或机械加工的方式将图形加深,以实现非完全蚀刻。4.根据权利要求1或2或3所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法,其特征在于:金属化陶瓷基板线宽、线距尺寸≤100μm。5.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅泽群,井敏,
申请(专利权)人:桑尼维尔新材料科技南京有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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