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本发明公开了一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法，属于电力电子器件封装领域。在正常的金属化陶瓷基板产品生产过程中，由于需要在陶瓷基板上加工出来电路图形，不可避免的会有蚀刻工序，当铜厚达到300μm以上，那么图形的线宽、线距有保障的...该专利属于桑尼维尔新材料科技(南京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑尼维尔新材料科技(南京)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法，属于电力电子器件封装领域。在正常的金属化陶瓷基板产品生产过程中，由于需要在陶瓷基板上加工出来电路图形，不可避免的会有蚀刻工序，当铜厚达到300μm以上，那么图形的线宽、线距有保障的...