晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片(2)进行支承的支承基板(8)；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，从支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外线区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，将支承基板从晶片的正面剥离。

Processing method of wafer

A wafer processing method is provided to reliably strip the supporting substrate from the front of the wafer. The wafer processing method includes the following procedures: the preparation process of the supporting substrate, which can pass through ultraviolet radiation below 300 nm and support the wafer (2) (8); the integration process, in which the front surface of the wafer is bonded to the supporting substrate by the ultraviolet hardening resin, which reduces the bonding force by ultraviolet radiation; The prescribed processing of the back of the wafer is carried out; the destruction process of ultraviolet hardening resin is carried out by irradiating the laser light in the ultraviolet region with the convergence wavelength of less than 300 nm on the side of the supporting substrate, thereby destroying the ultraviolet hardening resin; and the stripping process is to strip the supporting substrate from the front of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件。
技术介绍
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI、功率器件、LED等多个器件的晶片通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片。分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机、通信设备等电气设备。另外，为了能够实现器件的良好的散热性及轻量小型化，通过磨削装置对晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。并且，当将晶片的厚度加工成薄至50μm、30μm时，晶片会像纸那样弯曲而难以进行向下一工序的搬送，因此本申请人提出了下述技术：将晶片的正面侧夹着UV硬化型树脂而粘贴在玻璃那样的支承基板上，从而即使将晶片加工得较薄，也能够进行向等离子蚀刻工序、溅射工序等下一工序的搬送(例如参照专利文献1)。专利文献1：国际公开第03/049164号但是，在上述专利文献1所公开的技术中，存在下述问题：有时即使从支承基板侧照射紫外线而使UV硬化型树脂硬化从而使粘接力降低，也无法使粘接力充分降低，无法将支承基板从晶片的正面剥离。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏工序之后，将该支承基板从晶片的正面剥离。优选晶片的加工方法还包含如下的框架支承工序：在该加工工序之后且在该紫外线硬化型树脂破坏工序之前，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且将该划片带的外周粘贴在具有能够收纳晶片的开口的环状框架上，从而利用该环状框架对已与该支承基板成为一体的晶片进行支承。优选在该紫外线硬化型树脂破坏工序中，所使用的激光光线的峰值功率密度为5GW/cm2～50GW/cm2。优选该支承基板为玻璃基板，晶片包含在正面上具有薄膜构造的器件的Si晶片、SiC晶片或GaN晶片，其中，所述薄膜构造的器件包含功率器件、TFT(薄膜晶体管)或薄膜电感器。根据本专利技术的晶片的加工方法，具有紫外线硬化型树脂破坏工序，从该支承基板侧会聚由波长为300nm以下的紫外线构成的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏，因此，能够将紫外线硬化型树脂破坏而可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。附图说明图1是晶片和支承基板的立体图。图2的(a)是实施了一体化工序的晶片和支承基板的立体图，图2的(b)是实施了一体化工序的晶片和支承基板的剖视图。图3是示出将一体化的晶片和支承基板载置于磨削装置的卡盘工作台上的状态的立体图。图4是示出实施加工工序的状态的立体图。图5是示出实施框架支承工序的状态的立体图。图6的(a)是示出实施UV硬化型树脂破坏工序的状态的立体图，图6的(b)是示出实施UV硬化型树脂破坏工序的状态的晶片和支承基板的剖视图。图7是示出实施了剥离工序的状态的立体图。标号说明2：晶片；2a：正面；2b：背面；4：分割预定线；6：器件；8：支承基板；10：UV硬化型树脂；30：划片带；32：环状框架；32a：开口(框架)；LB：脉冲激光光线。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的晶片的加工方法的实施方式进行说明。图1中示出能够通过本实施方式的晶片的加工方法而实施加工的晶片2。厚度为700μm左右的圆盘状的晶片2的正面2a由格子状的分割预定线4划分成多个矩形区域，在多个矩形区域分别形成有器件6。晶片2包含以Si(硅)为原材料的Si晶片、以SiC(碳化硅)为原材料的SiC晶片、以GaN(氮化镓)为原材料的GaN晶片。另外，器件6包含薄膜构造的器件，该薄膜构造的器件包含功率器件、TFT(ThinFilmTransistor：薄膜晶体管)或薄膜电感器。在本实施方式中，首先实施支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片2进行支承的支承基板。在本实施方式中，如图1所示，在支承基板准备工序中所准备的支承基板8为圆盘状的透明的玻璃基板，能够透过波长为300nm以下的紫外线。另外，支承基板8的直径与晶片2的直径大致相同，支承基板8的厚度为1000μm左右。因此，支承基板8具有如下的程度的刚性：即使对该支承基板8实施将晶片2的厚度薄至数十μm左右的磨削工序，也能够稳定地对晶片2进行支承。另外，支承基板只要是能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片2进行支承的基板，则可以不是玻璃基板，例如可以由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等树脂材料形成。在实施了支承基板准备工序之后，如图2的(a)和图2的(b)所示，实施一体化工序，将晶片2的正面2a和支承基板8的一个面夹着通过紫外线(UV)的照射而降低粘接力的UV硬化型树脂10进行粘贴，从而将晶片2和支承基板8一体化。图2的(a)中示出从晶片2的背面2b侧观察夹着UV硬化型树脂10而与支承基板8成为一体的晶片2的立体图。在本实施方式中，如图2的(a)所示，在使晶片2的径向中心与支承基板8的径向中心一致的状态下将晶片2和支承基板8一体化。作为在一体化工序中所使用的UV硬化型树脂10，例如可以使用Denka电化株式会社制造的NW-126-75S、日本化药株式会社制造的SU-8、日立化成株式会社制造的Hitaloid7903。另外，如图2的(b)所示，对晶片2和支承基板8进行一体化时的UV硬化型树脂10的厚度为10μm左右。在实施了一体化工序之后，实施加工工序，对晶片2的背面2b实施规定的加工。加工工序中包含对晶片2的背面2b进行磨削而使晶片2薄化的磨削工序。因此，在本实施方式中，作为加工工序，对磨削工序进行说明。磨削工序例如能够使用在图3和图4中示出一部分的磨削装置12来实施。如图4所示，磨削装置12具有：圆形状的卡盘工作台14，其对被加工物进行保持；以及磨削单元16，其对卡盘工作台14所保持的被加工物进行磨削。如图3所示，在卡盘工作台14的上表面配置有由多孔质材料形成且实质上水平延伸的圆形状的吸附卡盘18。吸附卡盘18通过流路而与吸引单元(未图示)连接。并且，在卡盘工作台14中，通过吸引单元在吸附卡盘18的上表面上生成吸引力，从而能够对载置于吸附卡盘18的上表面上的被加工物进行吸附保持。另外，卡盘工作台14通过旋转单元(未图示)以通过卡盘工作台14的径向中心而沿上下方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。如图4所示，磨削单元16包含：圆柱状的主轴20，其与电动机(未图示)连结且在上下方向上延伸；圆板状的磨轮安装座22，其固定于主轴20的下端。在磨轮安装座22的下表面上通过螺栓24固定有环状的磨削磨轮26。在磨削磨轮26的下表面的外周缘部，在周向上隔着间隔而固定有呈环状配置的多个磨削磨具28。磨削磨轮26的旋转中心相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏工序之后，将该支承基板从晶片的正面剥离。

【技术特征摘要】
2017.06.16 JP 2017-1183381.一种晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏...

【专利技术属性】
技术研发人员：森数洋司，小柳将，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP