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提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片(2)进行支承的支承基板(8)；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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