数据储存装置及非挥发式存储器操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及数据储存装置及非挥发式存储器最佳化操作方法。一微控制器配置该非挥发式存储器储存一主机要求的写入数据。根据一第一写入模式累积的写入数据量、以及一第二写入模式累积的写入数据量，该微控制器穿插以该第一写入模式以及该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据。一存储单元于该第一写入模式下储存的位元数少于该第二写入模式。

Data storage device and operation method of non-volatile memory

The invention relates to a data storage device and a non-volatile memory optimization operation method. A microcontroller configures the non-volatile memory to store the written data required by a host. Based on the amount of write data accumulated in the first write mode and the amount of write data accumulated in the second write mode, the microcontroller interpolates to configure the non-volatile memory to store the write data required by the host in the first write mode and the second write mode. A storage unit stores fewer bits in the first write mode than in the second write mode.

【技术实现步骤摘要】
数据储存装置及非挥发式存储器操作方法
本专利技术有关于非挥发式存储器的最佳化操作。
技术介绍
数据储存装置所采用的非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flashmemory)、磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRAM)、铁电随机存取存储器(FerroelectricRAM)、电阻式随机存取存储器(ResistiveRAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(SpinTransferTorque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。以上类型的非挥发式存储器有其使用年限。例如，快闪存储器各区块(block)的抹除(erase)次数有其限制。达抹除上限的区块不适合再被写入数据。随着超出抹除上限的区块数量增加，快闪存储器的使用寿命缩短。由于抹除需求取决于快闪存储器的操作方式，如何最佳化操作非挥发式存储器继而延长装置寿命为本
一项重大课题。
技术实现思路
根据本专利技术一种实施方式所实现的一数据储存装置具有一非挥发式存储器以及一微控制器。该微控制器配置该非挥发式存储器储存一主机要求的写入数据。根据一第一写入模式累积的写入数据量以及一第二写入模式累积的写入数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据储存装置，包括：一非挥发式存储器；以及一微控制器，配置该非挥发式存储器储存一主机要求的写入数据；其中：根据一第一写入模式累积的写入数据量以及一第二写入模式累积的写入数据量，该微控制器穿插以该第一写入模式以及该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据；且一存储单元于该第一写入模式下储存的位元数少于该第二写入模式。

【技术特征摘要】
2017.06.19 TW 1061203351.一种数据储存装置，包括：一非挥发式存储器；以及一微控制器，配置该非挥发式存储器储存一主机要求的写入数据；其中：根据一第一写入模式累积的写入数据量以及一第二写入模式累积的写入数据量，该微控制器穿插以该第一写入模式以及该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据；且一存储单元于该第一写入模式下储存的位元数少于该第二写入模式。2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：该微控制器是在该第一写入模式累积的写入数据量超越一动态临界标准时，自该第一写入模式切换至该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据；且该动态临界标准是随着该第二写入模式累积的写入数据量变动。3.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：该微控制器于一判断式为真时，自该第一写入模式切换至该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据；该判断式为(WCnt#2+N)/M<WCnt#1；WCnt#1为该第一写入模式累积的写入数据量；WCnt#2为该第二写入模式累积的写入数据量；且N以及M为数值，使(WCnt#2+N)/M为上述动态临界标准。4.如权利要求3所述的数据储存装置，其特征在于：N以及M相关于该数据储存装置的保固需求。5.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于：该非挥发式存储器为快闪存储器；且N以及M更相关于该快闪存储器的区块总数、以及各区块的尺寸与抹除次数上限。6.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：该微控制器是在该非挥发式存储器的可配置空间大于一第一写入模式启动临界时，以该第一写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据。7.如权利要求6所述的数据储存装置，其特征在于：该微控制器在该非挥发式存储器的可配置空间不大于该第一写入模式启动临界时，是以该第二写入模式配置该非挥发式存储器储存该主机要求的写入数据。8.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：该非挥发式存储器为快闪存储器；且该第一写入模式为单阶存储单元写入模式，使所配置的区块的各存储单元储存一位元的数据；且该第二写入模式使所配置的区块的各存储单元储存多于一位元的数据。9.如权利要求8所述的数据储存装置，其特征在于：该第二写入模式为三阶存储单元写入模式，使所配置的区块的各存储单元储存三位元的数据。10.如权利要求9所述的数据储存装置，其特征在于：该微控制器于该主机不存取该快闪存储器时，将单阶存储单元储存的数据搬移到采三阶存储单元进行储存的区块。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：洪英峻，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71