In transistors including oxide semiconductors, changes in electrical characteristics are suppressed and reliability is improved. Semiconductor devices include transistors. The transistor includes the first gate electrode, the first insulating film on the first gate electrode, the oxide semiconductor film on the first insulating film, the second insulating film on the oxide semiconductor film, the second gate electrode on the second insulating film, and the third insulating film on the oxide semiconductor film and the second gate electrode. The oxide semiconductor film includes a channel region overlapping the second gate electrode, a source region contacting the third insulating film and a leakage region contacting the third insulating film. The first gate electrode is electrically connected with the second gate electrode. When measuring the field effect mobility in the saturated region of a transistor, the difference between the minimum and maximum field effect mobility is 15 cm.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
本专利技术的一个实施方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。本专利技术的实施方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。在本说明书等中，半导体装置一般是指通过利用半导体特性而能够工作的装置。晶体管等半导体元件、半导体电路、运算装置、存储装置都是半导体装置的一个实施方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池或有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时都包括半导体装置。
技术介绍
通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来形成晶体管(也称为场效应晶体管(FET)或薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集...
【技术保护点】
1.一种晶体管，包括：第一栅电极、氧化物半导体膜以及第二栅电极，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极电连接，在所述晶体管的饱和区域中测量的场效应迁移率的最小值与最大值之差为15cm2/Vs以下，并且，在施加到所述第一栅电极及所述第二栅电极的电压在3V至10V的范围内并且施加到所述氧化物半导体膜的漏区域的电压在10V至20V的范围内时，进行所述场效应迁移率的测量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.12 JP 2016-024579;2016.06.24 JP 2016-125371.一种晶体管，包括：第一栅电极、氧化物半导体膜以及第二栅电极，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极电连接，在所述晶体管的饱和区域中测量的场效应迁移率的最小值与最大值之差为15cm2/Vs以下，并且，在施加到所述第一栅电极及所述第二栅电极的电压在3V至10V的范围内并且施加到所述氧化物半导体膜的漏区域的电压在10V至20V的范围内时，进行所述场效应迁移率的测量。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述氧化物半导体膜包含In、M(M为Al、Ga、Y和Sn中的至少一个)及Zn。3.根据权利要求2所述的晶体管，其中In、M及Zn的原子个数比在In:M:Zn＝4:2:3附近，并且当In的比例为4时，M的比例为1.5以上且2.5以下，Zn的比例为2以上且4以下。4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述氧化物半导体膜的沉积中的衬底温度为室温。5.根据权利要求1所述的晶体管，还包括电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极。6.根据权利要求1所述的晶体管，其中通过二次离子质谱分析法(SIMS)测得的所述氧化物半导体膜的氢浓度低于1×1018atoms/cm3。7.一种包括权利要求1所述的晶体管的半导体装置。8.一种晶体管，包括：第一栅电极、氧化物半导体膜以及第二栅电极，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极电连接，所述氧化物半导体膜包括纳米晶，在所述晶体管的饱和区域中测量的场效应迁移率的最小值与最大值之差为15cm2/Vs以下，并且，在施加到所述第一栅电极及所述第二栅电极的电压在3V至10V的范围内并且施加到所述氧化物半导体膜的漏区域的电压在10V至20V的范围内时，进行所述场效应迁移率的测量。9.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述氧化物半导体膜包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，冈崎健一，津吹将志，马场晴之，重信幸惠，肥冢绘美，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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