一种薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制造方法，通过半透掩膜版同时形成薄光阻区、无光阻区和厚光阻区，通过控制半透掩膜版透过率，实现无光阻区的源漏极层金属和薄光阻区的光阻同时完成刻蚀，以减省薄光阻区光阻灰化工艺。采用干刻的方式对源漏极层金属进行刻蚀，可以将原有单边关键尺寸损失由2um降低到1um以下，有效解决了关键尺寸损失(CD Loss)较大的问题。由于薄光阻区光阻灰化工艺和无光阻区源漏极层金属刻蚀同时进行，节省了刻蚀工艺次数，提升了生产效率，且本发明专利技术对于半导体层靶材无特殊要求，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
在平板显示装置中，薄膜晶体管显示器具有体积小、低功耗、制造成本低以及辐射低等特点，为了在透明基板上形成薄膜晶体管阵列，在薄膜晶体管阵列的制造过程中，需要使用到一定数量的光掩膜版，在基板上反复进行成膜、曝光、刻蚀等光刻工艺，以形成薄膜晶体管阵列的引线、端子、电极各绝缘膜层等，自1993年薄膜晶体管液晶显示器的大规模生产制造开始以来，为了降低生生产成本，提高产品的良率，各制造商不断通过改变薄膜晶体管的结构来减少光刻工艺次数，目前，薄膜晶体管的结构已经相对来说比较稳定，很难通过改变薄膜晶体管结构来减少光刻工艺次数，只能通过对现有的光刻工艺本身进行改善。现有技术中，基于BCE(BackChannelEtching背沟道刻蚀型结构)基础上的半透掩膜版技术(Half-ToneMask简称HTM)可进一步减少光刻次数，使用半透掩膜版光罩曝光之后，需要两段刻蚀工艺形成薄膜晶体管图案，第一段刻蚀工艺需要刻蚀非沟道区的源漏极层和半导体层，第二阶段光阻灰化，刻蚀沟道区源漏极层。在第一阶段刻蚀时，刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步，在玻璃基板上形成栅极层，并且图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、以及位于端子区域内的栅极；第二步，在栅极层上形成栅极绝缘层；第三步，在栅极绝缘层上形成半导体层；第四步，在半导体层上形成源漏极层；第五步，在源漏极层上形成光阻层，采用半透掩膜版对光阻层进行曝光处理，半透掩膜版形成有光阻层覆盖的像素区域和有光阻层覆盖的端子区域以及无光阻层覆盖的端子区域；所述有光阻层覆盖的像素区域包括薄光阻层覆盖的像素区域和厚光阻层覆盖的像素区域；第六步，对无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层和薄光阻层覆盖的像素区域同时进行干刻，使得薄...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步，在玻璃基板上形成栅极层，并且图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、以及位于端子区域内的栅极；第二步，在栅极层上形成栅极绝缘层；第三步，在栅极绝缘层上形成半导体层；第四步，在半导体层上形成源漏极层；第五步，在源漏极层上形成光阻层，采用半透掩膜版对光阻层进行曝光处理，半透掩膜版形成有光阻层覆盖的像素区域和有光阻层覆盖的端子区域以及无光阻层覆盖的端子区域；所述有光阻层覆盖的像素区域包括薄光阻层覆盖的像素区域和厚光阻层覆盖的像素区域；第六步，对无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层和薄光阻层覆盖的像素区域同时进行干刻，使得薄光阻层覆盖的像素区域的光阻层和无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层同时被刻完，无光阻层覆盖的端子区域露出半导体层，薄光阻覆盖的像素区域露出源漏极层；第七步，对无光阻层覆盖的端子区域露出半导体层进行湿刻；第八步，对薄光阻层覆盖的像素区域露出的源漏极层进行干刻；第九步，对厚光阻层覆盖的像素区域以及有光阻层覆盖的端子区域进行光阻层剥离。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤第六步和第八步中，干刻采用混合气体进行干刻，所述混...

【专利技术属性】
技术研发人员：董波，简锦诚，杨帆，王志军，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32