薄膜晶体管及其制作方法、显示面板的制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板的制作方法。该薄膜晶体管包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，所述有源层包括第一区域，所述第一区域为未被所述栅极层以及所述源漏极层覆盖；形成在所述有源层背离所述衬底基板一侧的钝化层，且所述钝化层与所述有源层的第一区域直接接触；其中，所述有源层和所述钝化层均掺杂有稀土元素。本发明专利技术提供的薄膜晶体管可以提高薄膜晶体管抗水氧能力。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、显示面板的制作方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，具有显示面板的电子设备(如手机、电脑、电视以及可穿戴设备等)成为人们生活必不可少的一部分。在现有的显示面板中，薄膜晶体管是一个重要的器件，其主要用于配合其他器件如电容等实现显示。在各类薄膜晶体管中，金属氧化物薄膜晶体管由于具有较高的迁移率、较低的漏电流、制作过程的兼容性，在液晶显示面板和有机发光显示面板领域有较广阔的应用前景。但是将由金属氧化物制成的有源层暴露在空气或水汽环境中其稳定性和可靠性极易劣化，严重地限制了其在商业上的使用。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板的制作方法，以提高薄膜晶体管抗水氧能力。第一方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，所述有源层包括第一区域，所述第一区域为未被所述栅极层以及所述源漏极层覆盖；形成在所述有源层背离所述衬底基板一侧的钝化层，且所述钝化层与所述有源层的第一区域直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，所述有源层包括第一区域，所述第一区域为未被所述栅极层以及所述源漏极层覆盖；形成在所述有源层背离所述衬底基板一侧的钝化层，且所述钝化层与所述有源层的第一区域直接接触；其中，所述有源层和所述钝化层均掺杂有稀土元素。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，所述有源层包括第一区域，所述第一区域为未被所述栅极层以及所述源漏极层覆盖；形成在所述有源层背离所述衬底基板一侧的钝化层，且所述钝化层与所述有源层的第一区域直接接触；其中，所述有源层和所述钝化层均掺杂有稀土元素。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层掺杂有钆、镍、铝、硅、钪、钇、钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、镧、钕、铈、镨、钷、钐和铕中的至少一种。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层掺杂有铈、钐、钆、铒和铥中的至少一种。4.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法用于制作权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，其中，所述有源层包括第一区域，所述第一区域为未被所述栅极层以及所述源漏极层覆盖；且所述有源层掺杂有稀土元素；利用溶液法在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成钝化层，所述钝化层与所述有源层的所述第一区域直接接触；且所述钝化层掺杂有稀土元素。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，利用溶液法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，李民，徐苗，陶洪，邹建华，王磊，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44