A manufacturing method of a semiconductor device includes forming a spacer layer on the semiconductor fin, which is protruded on the substrate. When the spacer layer covers the source/drain region of the semiconductor fin, the spacer layer is doped with the first dopant and the thermal annealing process is carried out after doping.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开实施例涉及半导体集成电路，特别涉及鳍式场效晶体管的形成方法。
技术介绍
半导体工业由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积集度持续演进而经历快速成长。一般来说，积集度的演进来自最小特征尺寸的不断缩小，其允许在一给定面积内整合更多的部件。各特征尺寸随着晶体管尺寸缩小而缩小。举例来说，在鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor,FinFET)装置中，相邻鳍片之间的节距(pitch)(例如，距离)变得很小以致于在注入掺质期间，相邻鳍片间的微小节距限制了注入的角度，其可能导致鳍式场效晶体管装置的鳍片中的掺质分布不均匀。此
中需要能够配合此些先进工艺科技中的微小特征尺寸的工艺方法。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开的方法包括形成间隔层于半导体鳍片之上，此半导体鳍片突出于基板上，当此间隔层覆盖半导体鳍片的源极/漏极区域时，使用第一掺质掺杂此间隔层及在掺杂之后进行热退火工艺。在一些其他的实施例中，本公开的方法包括形成第一鳍片于半导体装置的第一区域中且形成一第二鳍片于半导体装置的第二区域中、形成一间...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一间隔层于一半导体鳍片上，该半导体鳍片突出于一基板上；当该间隔层覆盖该半导体鳍片的源极/漏极区域时，使用一第一掺质掺杂该间隔层；以及于该掺杂后进行一热退火工艺。
【技术特征摘要】
2017.06.26 US 15/633,4181.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一间隔层于一...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹佳玲，林彦君，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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