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一种半导体装置的制造方法，包括形成间隔层于半导体鳍片之上，此半导体鳍片突出于基板上，当此间隔层覆盖半导体鳍片的源极/漏极区域时，使用第一掺质掺杂此间隔层及在掺杂之后进行热退火工艺。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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