三维存储器制造技术

本实用新型专利技术提供一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向间隔排列的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层和漏极；所述漏极位于所述沟道层之上，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。本实用新型专利技术提供的三维存储器由于具有沿沟道孔的径向向外的方向突出于沟道层的漏极，所以其导电接触孔与漏极之间发生错位的概率较低，在生产过程中能够具有较好的良率。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器
本技术主要涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
随着对高度集成电子装置的持续重视，对以更高的速度和更低的功率运行并具有增大的器件密度的半导体存储器件存在持续的需求。为达到这一目的，已经发展了具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直阵列布置的晶体管单元的多层器件。三维是业界所研发的一种新兴的闪存类型，通过垂直堆叠多层数据电荷捕获来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，其具备卓越的精度，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备，进而有效降低成本和能耗，能全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。漏极是用于将沟道孔中的电路与外部电路连接的电极。受到沟道孔半径和存储器膜厚度等因素的制约，目前的NAND存储器中，漏极的在水平方向的尺寸较小。水平方向尺寸较小的漏极会造成在钨填充工艺中形成的钨电极不能与漏极连接的风险。钨电极与漏极连接不能连接就会进而导致器件不可用。因此目前在制作钨电极时往往需要采用具有较高精度的较为昂贵的光刻机(例如Immersion光刻机)。因此有必要提供一种具有在水平方向上尺寸较大的漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向间隔排列的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层和漏极；所述漏极位于所述沟道层之上，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向间隔排列的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层和漏极；所述漏极位于所述沟道层之上，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：位于所述沟道孔内的存储器膜，所述存储器膜的至少一部分环绕所述沟道层，所述漏极的至少一部分位于所述存储器膜上。3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述漏极在垂直于所述衬底的方向上的高度的范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，陶谦，汤召辉，唐志武，黄海辉，黄竹青，王家友，蒲浩，潘国卫，闵源，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42