三维存储器制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域；导电支撑柱，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶区域的堆叠结构；隔离层，位于所述导电支撑柱与所述栅极层之间，用于电性隔离所述导电支撑柱与所述栅极层。本实用新型专利技术避免了SEG方法形成的台阶区域支撑柱形貌不均匀的问题，确保了三维存储器的产率，并提高了三维存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3DNAND(三维NAND)存储器；随着集成度的越来越高，3DNAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。CTF(ChargeTrapFlash，电荷捕获闪存)型3DNAND存储器是目前较为前沿、且极具发展潜力的存储器技术。在CTF型3DNAND存储器中，具有由层间绝缘层和栅极交替堆叠形成的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心区域以及围绕所述核心区域设置的台阶区域。所述核心区域，用于信息的存储；所述台阶区域，位于所述堆叠结构的端部，用于向所述核心区域传输控制信息，以实现信息在所述核心区域的读写。其中，所述台阶区域具有贯穿所述堆叠结构的支撑柱，用于对所述堆叠结构进行支撑，避免所述堆叠结构出现坍塌。但是，现有支撑柱的结构形貌较差，严重影响了存储器的性能。因此，如何改善支撑柱的结构形貌，提高存储器的性能，是目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域；导电支撑柱，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶区域的堆叠结构；隔离层，位于所述导电支撑柱与所述栅极层之间，用于电性隔离所述导电支撑柱与所述栅极层。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域；导电支撑柱，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶区域的堆叠结构；隔离层，位于所述导电支撑柱与所述栅极层之间，用于电性隔离所述导电支撑柱与所述栅极层。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括若干层所述隔离层，且一层所述隔离层与所述栅极层同层设置。3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构还包括填充于相邻两层所述栅极层之间的层间绝缘层；若干层所述隔离层沿垂直于所述衬底的方向与所述层间绝缘层交替堆叠排列。4.根据权利要求1至3任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离层覆盖所述导电支撑柱的侧壁。5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：外围区域，围绕所述堆叠结构的外围设置，所述外围区域中形成有外围电路；介质层，覆盖所述外...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42