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三维存储器制造技术
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文档序号:19934245
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本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器,包括:衬底;堆叠结构,形成于所述衬底上,包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层,所述堆叠结构的端部具有台阶区域;导电支撑柱,沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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