【技术实现步骤摘要】
排气装置及干法刻蚀设备
本申请涉及显示
，特别是涉及一种排气装置及干法刻蚀设备。
技术介绍
随着半导体技术的发展，屏幕显示技术对半导体制造工艺的要求越来越高，干法刻蚀技术在其中扮演者不可或缺的角色，同时对干法刻蚀设备要提出了较高的要求。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。目前的干法刻蚀设备一般采用点抽气，容易造成腔室内部四角出现刻蚀速率偏大/偏小的情况，导致刻蚀均一性恶化，进而出现刻蚀残留。特别是栅级电极和源漏电极，此两道金属工艺对工艺要求极高，目前的干法刻蚀设备无法满足要求。也就是说，现有技术中会出现待刻蚀件的四周气体流速不均匀，导致刻蚀均一性恶化，进...
【技术保护点】
1.一种排气装置，其特征在于，包括排气泵和排气腔体，所述排气腔体中空且为一框体，所述排气泵连通所述排气腔体的中空部分，所述框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，所述框体的表面形成有多个排气孔，所述排气泵通过所述排气腔体排出所述待刻蚀件周围的气体。
【技术特征摘要】
1.一种排气装置，其特征在于，包括排气泵和排气腔体，所述排气腔体中空且为一框体，所述排气泵连通所述排气腔体的中空部分，所述框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，所述框体的表面形成有多个排气孔，所述排气泵通过所述排气腔体排出所述待刻蚀件周围的气体。2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气腔体为一矩形框体，所述矩形框体包括4个相互独立的L型排气模块，4个所述L型排气模块的端部相互贴合以形成所述矩形框体，4个所述L型排气模块分别与4个分子泵连通。3.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气孔位于所述框体的上表面，且所述排气孔呈矩阵分布。4.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，至少部分所述排气孔处设有排气阀门，所述排气阀门通过调节阀门开度进而调节所述排气孔的排气速率。5.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，所述排气孔的表面设有气压感应装置，所述气压感应装置通过感应所述排气孔表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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