有机半导体装置的制造方法及粉体制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机半导体装置的制造方法以及适合该制造方法的材料，该制造方法能以无溶剂且高生产量地形成有机半导体薄膜。有机半导体装置的制造方法，包含将含有有机半导体材料的带电粉体通过静电场的外加而在基材(23)上图案化的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机半导体装置的制造方法及粉体
本专利技术涉及有机半导体装置的制造方法、及使用于该制造方法的粉体。
技术介绍
在电极间形成有机半导体材料的薄膜而得到有机半导体装置的方法，因可用低温制程制造，所以可作成弯曲性优异、轻量且不易崩坏的有机半导体装置，故近年来都在积极研究。不过，以往可使用于有机半导体装置的有机半导体材料，因大多难溶于有机溶剂中，故不能利用涂布或印刷等价廉的方式形成该薄膜，通常是以比较高成本的真空蒸镀法等在基板上形成该薄膜。最近，则盛行通过利用喷墨、柔版印刷、涂布等涂布或印刷的方法形成有机半导体薄膜，获得有机半导体装置的研究，变得有可得具有较高载体迁移率(以下，适当地简称为“迁移率”)的有机半导体装置的情况。期望通过使用上述的涂布或印刷的方法，可用低成本制造电场效应晶体管的制作步骤中的生产量高、且大面积的电场效应晶体管。通常，有机半导体薄膜通过以真空蒸镀法为首的真空制程，或使用溶剂的旋转涂布法或刮涂法等涂布制程形成。不过，以真空制程形成有机半导体薄膜的方法，除了需要进行真空制程用的设备之外，还有使有机半导体材料的耗损变多的缺点。以涂布制程形成有机半导体薄膜的方法，因为在整个基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机半导体装置的制造方法，为将有机半导体材料图案化而制造有机半导体装置的方法，该制造方法包含：图案化步骤，该步骤中，将含有有机半导体材料的带电粉体通过静电场的外加而在基材上图案化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.28 JP 2015-1684911.一种有机半导体装置的制造方法，为将有机半导体材料图案化而制造有机半导体装置的方法，该制造方法包含：图案化步骤，该步骤中，将含有有机半导体材料的带电粉体通过静电场的外加而在基材上图案化。2.根据权利要求1所述的有机半导体装置的制造方法，其中，所述有机半导体材料包含带电的有机半导体材料。3.根据权利要求1或2所述的有机半导体装置的制造方法，还包含：薄膜化步骤，该步骤中，在所述图案化步骤之后，通过热及压力将有机半导体材料薄膜化。4.根据权利要求3所述的有机半导体装置的制造方法，其中，所述薄膜化步骤包含通过以热辊构成的热层叠机对有机半导体材料施加热及压力从而将有机半导体材料薄膜化的步骤。5.根据权利要求3所述的有机半导体装置的制造方法，其中，所述薄膜化步骤包含一边对有机半导体材料施加压力一边给予超声波振动而将有机半导体材料薄膜化的步骤。6.根据权利要求1或2所述的有机半导体装置的制造方法，其中，所述图案化步骤通过磁性自含有有机半导体材料及载体粒子的带电粉体使载体粒子分离，仅将有机半导体材料散布在基材上的步骤。7.根据权利要求3所述的有机半导体装置的制造方法，其中，所述薄膜化步骤为于已在一片基板上图案化的有机半导体材料上再承载一片基材，而将有机半导体材料夹持在一对基材之间，由该承载的基材上部同时给予热及压力而将有机半导体材料薄膜化的步骤。8.根据权利要求7所述的有机半导体装置的制造方法，其中，所述一对基材是树脂膜。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井正俊，工藤一浩，贞光雄一，
申请(专利权)人：国立大学法人千叶大学，日本化药株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP