【技术实现步骤摘要】
一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法
本专利技术属于有机电子
，具体涉及一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管是被广泛应用在有源阵列显示器、光电传感器、薄膜型存储器和气敏传感器等领域，它由衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极组成。有机半导体薄膜晶体管是指其中有源层使用的是有机半导体材料。与硅、金属氧化物半导体为有源层的薄膜晶体管相比，有机薄膜具有良好的柔韧性、质量轻且容易携带，可方便大面积显示器件的制备。可以通过修饰有机分子结构来提高器件的性能，随着研究发展的深入有机薄膜晶体管的迁移率、开关电流比等性能都得到了大规模的提高，因此在液晶和有机电致发光显示器、传感器、电子标签等领域已经得到广泛的应用。有机薄膜的制膜技术比较多，不需要高真空环境下，可在低温下制备薄膜，制作工艺简单，能够降低器件的生产成本。有机半导体优良的溶解性，可以采用溶液旋凃法制备薄膜，旋涂法制备速度快，兼容性好，基底选择比较广泛。旋涂高分子薄膜具有较好的均匀性和稳定性，使其在有机薄膜晶体管的制备过程中得到广泛的应用。通常薄膜晶体管中的有源层和绝缘层是分两步制备的，这不仅消耗...
【技术保护点】
1.一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管包括从下至上依次布设的衬底（1）、栅电极层（2）、绝缘层（3）和有源层（4），所述有源层（4）上布设有源电极（5）和漏电极（6）；晶体管的制备包括以下步骤：将有机半导体材料和绝缘聚合物溶解到有机溶剂中，形成前驱体混合溶液，然后将前驱体混合溶液旋凃在衬底（1）的栅电极层（2）之上，绝缘聚合物处在旋涂薄膜底层并与栅电极层（2）接触，形成绝缘层（3），有机半导体材料位于绝缘聚合物上方，形成有源层（4），然后进行干燥，最后在有源层（4）上制备源电极（5）和漏电极（6），形成有机半导体薄膜晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管包括从下至上依次布设的衬底（1）、栅电极层（2）、绝缘层（3）和有源层（4），所述有源层（4）上布设有源电极（5）和漏电极（6）；晶体管的制备包括以下步骤：将有机半导体材料和绝缘聚合物溶解到有机溶剂中，形成前驱体混合溶液，然后将前驱体混合溶液旋凃在衬底（1）的栅电极层（2）之上，绝缘聚合物处在旋涂薄膜底层并与栅电极层（2）接触，形成绝缘层（3），有机半导体材料位于绝缘聚合物上方，形成有源层（4），然后进行干燥，最后在有源层（4）上制备源电极（5）和漏电极（6），形成有机半导体薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底（1）为玻璃或硅片，栅电极层（2）为附着在衬底（1）上的ITO薄膜或者Au、Ag或Al薄膜。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料为小分子型有机半导体材料或共轭高分子型有机半导体材料；小分子型有机半导体材料为富勒烯、并五苯、酞菁或...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新安，杨光，张朋林，郑海务，张伟风，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南,41
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