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本发明公开了一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法，该方法的有源层和绝缘层是通过化学旋凃工艺一步完成。分别将有机半导体材料和绝缘聚合物同时溶解到同一溶剂中，形成前驱体溶液，然后直接将前驱体溶液旋凃在薄膜晶体管的栅电极层之上，由于不同组分间的化学...
该专利属于河南大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南大学授权不得商用。

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