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本发明提供一种有机半导体装置的制造方法以及适合该制造方法的材料,该制造方法能以无溶剂且高生产量地形成有机半导体薄膜。有机半导体装置的制造方法,包含将含有有机半导体材料的带电粉体通过静电场的外加而在基材(23)上图案化的步骤。...该专利属于国立大学法人千叶大学;日本化药株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过国立大学法人千叶大学;日本化药株式会社授权不得商用。
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本发明提供一种有机半导体装置的制造方法以及适合该制造方法的材料,该制造方法能以无溶剂且高生产量地形成有机半导体薄膜。有机半导体装置的制造方法,包含将含有有机半导体材料的带电粉体通过静电场的外加而在基材(23)上图案化的步骤。...