晶片生成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动地生成SiC晶片。晶片生成装置(2)包含：保持单元(4)，其对单晶SiC晶锭(150)进行保持；平坦化单元(6)，其对保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元(8)，其将具有对于单晶SiC晶锭(150)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭(150)照射激光光线LB，形成剥离层(170)；晶片剥离单元(10)，其对单晶SiC晶锭(150)的上表面进行保持，将SiC晶片(172)从剥离层(170)剥离；以及晶片收纳单元(12)，其收纳剥离得到的SiC晶片(172)。

【技术实现步骤摘要】
晶片生成装置
本专利技术涉及由单晶SiC晶锭生成SiC晶片的晶片生成装置。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等为材料的晶片的表面层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为材料的晶片的表面层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片利用切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的半导体晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的表面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如参见专利文献1)。但是，在利用划片锯切断半导体晶锭并对切断得到的晶片的表面和背面进行研磨时，半导体晶锭的大部分(70～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且单晶SiC晶锭的单价高，在高效地生成SiC晶片方面存在问题。因此提出了下述技术：将具有对于单晶SiC来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，在切断预定面形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离(例如参见专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2013-49161号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在单晶SiC晶锭形成剥离层的工序、从单晶SiC晶锭剥离SiC晶片的工序、对单晶SiC晶锭的上表面进行磨削以将其平坦化的工序是手动执行的，存在生产效率差的问题。由此，本专利技术的目的在于提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动生成SiC晶片。用于解决课题的手段根据本专利技术，提供一种晶片生成装置，其是由单晶SiC晶锭生成SiC晶片的晶片生成装置，该装置具备：保持单元，其对单晶SiC晶锭进行保持；平坦化单元，其对该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元，其将具有对于单晶SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其对单晶SiC晶锭的上表面进行保持，将SiC晶片从剥离层剥离；以及晶片收纳单元，其收纳剥离得到的SiC晶片。优选的是，晶片生成装置进一步包含：晶锭收纳单元，其收纳单晶SiC晶锭；以及晶锭传送单元，其将单晶SiC晶锭从该晶锭收纳单元传送到该保持单元。优选包含清洗单元，其对利用该平坦化单元进行了平坦化的单晶SiC晶锭进行清洗。优选的是，该保持单元配设于旋转工作台，该保持单元通过该旋转工作台的旋转至少可定位在该平坦化单元、该激光照射单元、该晶片剥离单元。专利技术效果根据本专利技术的晶片生成装置，能够由单晶SiC晶锭自动生成SiC晶片并将其收纳在晶片收纳单元，因而生产效率提高。附图说明图1是本专利技术实施方式的晶片生成装置的立体图。图2是图1所示的晶片生成装置的主要部分立体图。图3是图2所示的平坦化单元的主要部分放大立体图。图4是示出从清洗单元的第一清洗部喷射清洗水、并且从第二清洗部喷射压缩空气的状态的示意图。图5是图1所示的激光照射单元的立体图。图6是省略图5所示的激光照射单元中的框体来示出的激光照射单元的立体图。图7是图5所示的激光照射单元的框图。图8是图1所示的晶片剥离单元的立体图。图9是图1所示的晶片剥离单元的剖视图。图10是图1所示的晶锭传送单元的立体图。图11的(a)是单晶SiC晶锭的主视图，图11的(b)是单晶SiC晶锭的俯视图。图12的(a)是单晶SiC晶锭和基板的立体图，图12的(b)是示出将基板安装于单晶SiC晶锭的状态的立体图。图13是示出实施保持工序的状态的立体图。图14是示出将第一单晶SiC晶锭定位在平坦化位置、并且将第二单晶SiC晶锭定位在待机位置的状态的俯视图。图15是示出将第一单晶SiC晶锭定位在剥离层形成位置、将第二单晶SiC晶锭定位在平坦化位置、并且将第三单晶SiC晶锭定位在待机位置的状态的俯视图。图16的(a)是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图，图16的(b)是示出实施剥离层形成工序的状态的主视图。图17的(a)是形成有剥离层的单晶SiC晶锭的俯视图，图17的(b)是图17的(a)中的B-B线剖视图。图18是示出将第一单晶SiC晶锭定位在晶片剥离位置、将第二单晶SiC晶锭定位在剥离层形成位置、将第三单晶SiC晶锭定位在平坦化位置、并且将第四单晶SiC晶锭定位在待机位置的状态的俯视图。图19的(a)是示出液槽位于卡盘工作台的上方的状态的立体图，图19的(b)是示出液槽的下表面与卡盘工作台的上表面接触的状态的立体图。图20是示出利用晶片剥离单元从单晶SiC晶锭剥离SiC晶片后的状态的立体图。图21是示出将第一单晶SiC晶锭定位在待机位置、将第二单晶SiC晶锭定位在晶片剥离位置、将第三单晶SiC晶锭定位在剥离层形成位置、并且将第四单晶SiC晶锭定位在平坦化位置的状态的俯视图。图22是示出将第一单晶SiC晶锭定位在平坦化位置、将第二单晶SiC晶锭定位在待机位置、将第三单晶SiC晶锭定位在晶片剥离位置、并且将第四单晶SiC晶锭定位在剥离层形成位置的状态的俯视图。图23是示出将第一单晶SiC晶锭定位在剥离层形成位置、将第二单晶SiC晶锭定位在平坦化位置、将第三单晶SiC晶锭定位在待机位置、并且将第四单晶SiC晶锭定位在晶片剥离位置的状态的俯视图。具体实施方式以下，参照附图对按照本专利技术构成的晶片生成装置的实施方式进行说明。图1所示的晶片生成装置2具备：保持单元4，其对单晶SiC晶锭进行保持；平坦化单元6，其对保持单元4所保持的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元8，其将具有对于单晶SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离保持单元4所保持的单晶SiC晶锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元10，其对单晶SiC晶锭的上表面进行保持，将SiC晶片从剥离层剥离；以及晶片收纳单元12，其收纳剥离得到的SiC晶片。参照图2对保持单元4进行说明。在晶片生成装置2的基台14上形成有从基台14的上表面向下方没入的矩形状的旋转工作台收纳部16，圆形状的旋转工作台18可自由旋转地收纳在旋转工作台收纳部16。旋转工作台18利用内置在基台14中的旋转工作台用电动机(未图示)以通过旋转工作台18的径向中心并在Z轴方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。并且，本实施方式中的保持单元4由可自由旋转地配设在旋转工作台18的上表面的4个圆形状的卡盘工作台20构成。优选各卡盘工作台20通过旋转工作台18的旋转至少可定位在平坦化单元6、激光照射单元8、晶片剥离单元10。在本实施方式中，如图2所示，各卡盘工作台20通过旋转工作台18的旋转被定位在待机位置P1、平坦化单元6的下方的平坦化位置P2、激光照射单元8的下方的剥离层形成位置P3、晶片剥离单元10的下方的晶片剥离位置P4。各卡盘工作台20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片生成装置，其是由单晶SiC晶锭生成SiC晶片的晶片生成装置，其中，该装置具备：保持单元，其对单晶SiC晶锭进行保持；平坦化单元，其对该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元，其将具有对于单晶SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其对单晶SiC晶锭的上表面进行保持，将SiC晶片从剥离层剥离；以及晶片收纳单元，其收纳剥离得到的SiC晶片。

【技术特征摘要】
2017.06.08 JP 2017-1133911.一种晶片生成装置，其是由单晶SiC晶锭生成SiC晶片的晶片生成装置，其中，该装置具备：保持单元，其对单晶SiC晶锭进行保持；平坦化单元，其对该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元，其将具有对于单晶SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其对单晶SiC晶锭...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚健太吕，大宫直树，森俊，山中聪，平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP