一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构，所述薄膜的制备步骤如下：将醋酸锆溶于乙二醇单甲醚中，加入乙醇胺，搅拌后静置老化，得到醋酸锆浓度为0.3～0.6mol/L的前驱体溶液；所述乙醇胺的体积占所述前驱体溶液总体积的1/6；然后在ITO玻璃衬底上旋涂所述前驱体溶液，并在200℃下退火1～2h，得到ZrO2绝缘层薄膜。再在所得ZrO2绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，即可得到所述叠层结构。本发明专利技术在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，有利于绝缘层薄膜与塑料等柔性衬底相结合，使得低温制备高性能柔性电子器件成为可能，同时避免传统低温工艺中所需的紫外光处理，降低退火工艺的复杂度。

【技术实现步骤摘要】
一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法
本专利技术属于薄膜晶体管
，具体涉及一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，作为一种用途广泛的半导体器件，其主要用途是驱动显示器中液晶的排列变化、以及驱动OLED像素发光。TFT中绝缘层能起到存储电容和防止信号串扰等作用，影响TFT器件的转移性能、稳定性和寿命。ZrO2有高的相对介电常数(～27)、较宽的禁带(7.8eV)，是一种常用的介质层材料。采用制备ZrO2绝缘薄膜的过程中，常需要较高(>350℃)的退火温度来去除湿膜中的溶剂等杂质，过高的退火温度影响了ZrO2绝缘薄膜与柔性衬底(耐温～200℃)的结合，不利于实现柔性显示。为了解决这个问题，目前主流的方法是，通过紫外光照射旋涂的湿膜，从而降低所需的退火温度。但这种方式需要复杂的退火工艺和退火设备，不利于大面积处理。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本专利技术的首要目的在于提供一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜的方法。本专利技术的另一目的为提供一种制备ZrO2绝缘层薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将Zr(CH3COO)4溶于乙二醇单甲醚(2‑MOE)中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后静置老化，得到前驱体溶液；所述前驱体溶液中Zr(CH3COO)4的浓度为0.3～0.6mol/L；所述乙醇胺的体积占所述前驱体溶液总体积的1/6；(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得的前驱体溶液，然后在200℃的温度下退火处理1～2h，得到ZrO2绝缘层薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将Zr(CH3COO)4溶于乙二醇单甲醚(2-MOE)中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后静置老化，得到前驱体溶液；所述前驱体溶液中Zr(CH3COO)4的浓度为0.3～0.6mol/L；所述乙醇胺的体积占所述前驱体溶液总体积的1/6；(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得的前驱体溶液，然后在200℃的温度下退火处理1～2h，得到ZrO2绝缘层薄膜。2.根据权利要求1所述的一种制备ZrO2绝缘层薄膜的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚日晖，史沐杨，宁洪龙，周尚雄，袁炜健，李志航，蔡炜，朱镇南，魏靖林，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44