无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃，将其外延片本身由于原子间晶格不同导致的应力释放出来，外延片会由U型变成扁平状，外延片边缘会与承载盘贴合的更加紧密，氢气无法进入外延片背面边缘从而背面硅单晶点会减少。按照本发明专利技术技术方案生产的外延片，可以完全抑制外延片背面单晶硅点的生长。

【技术实现步骤摘要】
无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件
本专利技术涉及无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件。
技术介绍
对于半导体器件来说，需要外延层具有完美的晶体结构，而且对外延层的厚度、导电类型、电阻率及电阻均匀性等方面均有一定的要求。除此之外，越来越多的产品对外延片背面的要求越来越高，因为其直接影响到后道产品的光刻加工，外延片背面有瑕疵容易造成散焦的问题。外延片背面瑕疵例如：外延片背面硅晶点、刮伤、色差等，这些都直接影响后道IC制程。由于大多外延片产品是由后道产品应用所决定，越来越多的电路与电子元件需要在外延片上制作完成，例如PowerMOS、NMOS、CMOS和Superjunction等。随着集成电路设计朝向线宽变窄、光刻技术要求越来越高的发展趋势，对于外延产品要求也不断苛刻。改善外延片背封结构，使外延片更加适用于更多后道光刻加工成为了主要问题。如图1所示，一种外延片，由于在外延过程中衬底片高温受热，衬底边缘背封二氧化硅极容易与氢气反应还原成硅单晶，穿出二氧化硅层。另外，由于晶片背面边缘需要经过酸腐蚀，将其倒角和边缘蚀刻干净，因此，晶片背面边缘二氧化硅的厚度会相应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃。

【技术特征摘要】
1.一种无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃。2.根据权利要求1所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延层生长前，首先在承载盘表面覆盖一层多晶硅。3.根据权利要求2所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的多晶硅的厚度为0.5～1微米。4.根据权利要求1所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延片的衬底为N型掺杂，超重掺。5.根据权利要求4所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的衬底N型杂质原子为砷原子。6.根据权利要求5所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的砷原子的掺杂浓度1.2×1019～2.2×1019cm3。7.根据权利要求4、5或6所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的衬底为直拉单晶制造法制得。8.根据权利要求7所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的衬底的背面设置一层二氧化硅背封，二氧化硅背封的厚度为9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高璇，陈建纲，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31