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本发明公开了一种无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃，将其外延片本身由于原子间晶格不同导致的应力释放出来，外延片会由U型变成扁平状，外延片边缘会与承载盘贴合...
该专利属于上海晶盟硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶盟硅材料有限公司授权不得商用。

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