【技术实现步骤摘要】
一种半导体湿法氧化装置
本申请涉及一种半导体湿法氧化装置。
技术介绍
在现有技术中，部分化合物半导体器件在制造过程中需要用到湿法氧化工艺，其原理是在一定温度下使半导体材料与水蒸气发生氧化反应生成氧化物质，从而达到优化器件性能的目的。根据CarolI.等人的研究(AshbyCIH,BridgesMM,AllermanAA,etal.OriginofthetimedependenceofwetoxidationofAlGaAs[J].Appliedphysicsletters,1999,75(1):73-75.)，AlAs作为化合物半导体器件常用的材料，在一定温度下能够与水蒸气反生反应生成氧化铝(Al2O3)，AlAs+6H2O(g)→Al2O3+As2O3+6H2(g)例如在发光器件中，含有Al组分的材料在一定温度下与水蒸气反应生成氧化铝，可以达到限制电场和光场的目的。由于含有Al组分的材料与水蒸气反应对温度和水蒸气的浓度特别敏感，温度微小的变化就会改变氧化反应的速率，水蒸气浓度的变化也会导致氧化反应速率的改变，例如含有Al组分的材料氧化反应不均匀或者不受控制时，就...
【技术保护点】
1.一种半导体湿法氧化装置，其特征在于，它包括水浴加热装置、与所述的水浴加热装置相连通的反应腔室、位于所述的反应腔室下侧的腔室加热装置、对反应腔室内半导体样品湿法氧化反应过程进行观测的实时监控装置，所述的反应腔室包括反应腔室本体，所述的反应腔室本体为双层结构，具有外壁和内壁，所述的外壁上开设有一外进气孔，所述的内壁上开设有多个内进气孔，外进气孔与一进气管相连通，所述的多个内进气孔由阵列排布的多个小孔组成，所述的内壁上还开设有一出气孔，所述的出气孔连通至一出气管。
【技术特征摘要】
1.一种半导体湿法氧化装置，其特征在于，它包括水浴加热装置、与所述的水浴加热装置相连通的反应腔室、位于所述的反应腔室下侧的腔室加热装置、对反应腔室内半导体样品湿法氧化反应过程进行观测的实时监控装置，所述的反应腔室包括反应腔室本体，所述的反应腔室本体为双层结构，具有外壁和内壁，所述的外壁上开设有一外进气孔，所述的内壁上开设有多个内进气孔，外进气孔与一进气管相连通，所述的多个内进气孔由阵列排布的多个小孔组成，所述的内壁上还开设有一出气孔，所述的出气孔连通至一出气管。2.如权利要求1所述的一种半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的腔室加热装置包括外壳、设置在外壳内的开口朝上的反光装置、位于所述的反光装置内的加热器。3.如权利要求1所述的一种半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的反光装置的底面为反射平面，侧壁为反射曲面。4.如权利要求3所述的一种半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的加热器为涡旋状加热器或均匀交错排列的加热器。5.如权利要求3所述的一种半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的反应腔室还包括氮化硼板，所述的氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋院鑫，杨晓杰，杨国文，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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