矩形半导体封装及其方法技术

本发明专利技术涉及一种矩形半导体封装及其方法，其为晶圆切割为晶粒后封装而不具备载板；其包含，一导电路由层；所述导电路由层的一顶面上有一第一晶粒；所述第一晶粒通过复数条第一金属线与所述导电路由层电性连接；复数个导电球体，其位于所述导电路由层的一底面上；一模制化合物，其囊封所述导电路由层上的所述第一晶粒。由此，本发明专利技术利用导电路由层取代电路板，通过移除载板以降低封装厚度及成本，并凭借在晶圆厂外实行扇出型封装加工增进堆叠式封装变化性。

【技术实现步骤摘要】
矩形半导体封装及其方法
本专利技术涉及一种半导体封装件及其制法，特别在于扇出型封装应用于晶圆切割下的晶粒，不具备载板，而依线路重布局技术产生的导电路由层为基底。
技术介绍
现今在集成电路的封装技术中，多会先将集成电路晶粒囊封于囊封材料中，尔后利用基板上的电路或基板上的构建晶圆重布层达成产生扇出区域，通过扇出型区域增加更多空间以用于增设更多输出/输入点。随着电子产品的功能越趋复杂，导致上游零件的晶粒须具备较多的输出/输入连接，配合的封装跟着需在限制空间内引出更多的连接点，同时对很流行的堆叠式封装(packageonpackage，POP)应用产生挑战，需在更小的空间内布置更多的输出/输入点。从2016年iPhone7的A10处理器和天线开关模块使用扇出型晶圆级封装(Fan-outWaferLevelPackaging，FoWLP)技术取代传统PCB基板，通过此制程可使封装后更薄成本更低，使得此封装技术未来将被更多芯片厂商采纳。关于扇出型封装的文献，有多个专利如下：美国专利号US62/082,557揭示一种散出型晶圆级封装及形成方法。在一实施例中，一封装包括一第一路由层、该第一路由层的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种矩形半导体封装，其为晶圆切割为晶粒后封装而不具备载板，其特征在于包含：一导电路由层；所述导电路由层的一顶面上有一第一晶粒；所述第一晶粒通过复数条第一金属线与所述导电路由层电性连接；复数个导电球体，其位于所述导电路由层的一底面上；一模制化合物，其囊封所述导电路由层上的所述第一晶粒。

【技术特征摘要】
2017.06.06 TW 1061187291.一种矩形半导体封装，其为晶圆切割为晶粒后封装而不具备载板，其特征在于包含：一导电路由层；所述导电路由层的一顶面上有一第一晶粒；所述第一晶粒通过复数条第一金属线与所述导电路由层电性连接；复数个导电球体，其位于所述导电路由层的一底面上；一模制化合物，其囊封所述导电路由层上的所述第一晶粒。2.如权利要求1所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述导电路由层的所述顶面上延伸复数个导电凸块。3.如权利要求1所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述导电路由层包含一第二晶粒，所述第二晶粒位于所述第一晶粒上方或一侧。4.如权利要求2所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述复数个导电凸块显露于所述模制化合物表面，为凹槽或平面显露。5.如权利要求3所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述第二晶粒通过所述复数个导电凸块与所述导电路由层电性连接。6.如权利要求4所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述第二晶粒通过复数条第二金属线与所述导电路由层电性连接。7.如权利要求4所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述模制化合物囊封所述第二晶粒。8.如权利要求7所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述模制化合物并不覆盖所述第二晶粒的一顶面。9.一种矩形半导体封装方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：于鸿祺，林俊荣，
申请(专利权)人：华东科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71