SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了了SOT‑89/223‑2L封装引线框架及两脚产品的制作方法，改变了传统的三脚切断实现两脚封装的方式，实现两脚封装结构，且中脚不外露，增加了左右两脚之间的绝缘距离，拓宽了器件的应用范围。本发明专利技术SOT‑89/223‑2L封装引线框架及两脚产品包括引线框架、散热片、切断式中脚及左右引线脚，两脚产品中脚处无露铜点，散热片与中脚采取塑封线处切断式结构设计的切筋实现方法，使器件在工作时≥1500V电压无打火或短路现象，从而提高了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制备方法
本专利技术涉及封装的
，具体涉及SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制备方法，包括6排、8排、12排等多排结构。
技术介绍
现有的SOT-89/223-2L产品，包括塑封体、散热片、左引线脚、右引线脚、中间引线脚，中间引线脚与左右引线脚长度一致，通过切筋时切断中间脚，余留0.5-1.0mm长度的中间脚，余留中间脚与左右脚的距离较小，器件在工作时因≥1500V电压产生打火或短路现象，从而发生早期电路失效。
技术实现思路
为了解决以上技术问题，本专利技术提供SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构，包括塑封体，塑封体内设引线框架，塑封体一侧引出散热片，塑封体另一侧引出左引线脚、右引线脚和中间引线脚；所述中间引线脚为内埋式。SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1、将芯片焊接到引线框架上：设置粘片机温度为350-380℃，将氢氮按氢气10-25%，氮气75-90%的比例混合，准备高温焊锡丝Pb92.5Sn5Ag2.5；引线框架传送到点锡位置时，在氢氮气保护的状态下，通过写锡的方式在芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.SOT‑89/223‑2L引线框架及两脚结构，其特征在于：包括塑封体（1），塑封体（1）内设引线框架（11），塑封体（1）一侧引出散热片（2），塑封体（1）另一侧引出左引线脚（3）、右引线脚（4）和中间引线脚（5）；所述中间引线脚（5）为内埋式。

【技术特征摘要】
1.SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构，其特征在于：包括塑封体（1），塑封体（1）内设引线框架（11），塑封体（1）一侧引出散热片（2），塑封体（1）另一侧引出左引线脚（3）、右引线脚（4）和中间引线脚（5）；所述中间引线脚（5）为内埋式。2.SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、将芯片焊接到引线框架上：设置粘片机温度为350-380℃，将氢氮按氢气10-25%，氮气75-90%的比例混合，准备高温焊锡丝；当引线框架传送到点锡位置时，在氢氮气保护的状态下，通过写锡的方式在芯片装载区域划上厚度为20-60um的正方形焊料，将芯片吸装到引线框架的焊接区域，并冷却到室温；步骤2、将芯片的电极通过铜线连接到引线框架的对应左引线脚和右引线脚上：设置球焊机焊接区导轨温度200-250℃，将氢氮按氢气5-10%，氮气90-95%的比例混合；将装有芯片的引线框架传送到焊接区域，在氢...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，严巧成，管钱健，龚天宇，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32