This application discloses a dry etching device and an etching method. The etching device includes: an etching device, including an electrode coil and an adjusting mechanism, an adjusting mechanism connected with the electrode coil for adjusting the distance between the electrode coil and the substrate; a detection device for detecting the etching degree of the substrate; a controller for coupling adjustment. The mechanism and the detection device are used to obtain the etching degree of the substrate and to control the distance between the electrode coil and the substrate by controlling the adjusting mechanism according to the etching degree, so as to control the etching rate of the etching device to the substrate. By the above way, the application can automatically control the etching rate of the etching device to the substrate and improve the product yield.
【技术实现步骤摘要】
一种干法刻蚀设备及刻蚀方法
本申请涉及刻蚀
,特别是涉及一种干法刻蚀设备及刻蚀方法。
技术介绍
刻蚀是半导体器件制造工艺中除去不需要的部分的工艺。主要分为用化学溶液进行化学刻蚀的湿法刻蚀,和用气体进行腐蚀的干法刻蚀。其中,干法刻蚀不用化学溶液而用腐蚀性气体或等离子体进行刻蚀,可以实现各向异性刻蚀,使电路图形变得更精细,适用于要求高精度的精细工艺。随着显示技术对半导体制造工艺的要求越来精密,干刻蚀得到越来越广泛的使用,相应的对干法刻蚀设备也要提出较高的标准。本申请的专利技术人在长期的研发过程中,发现目前的干法刻蚀设备对上部电极线圈设计为固定人工可调式,具体请参阅图1,图1是现有技术中干法刻蚀设备一实施方式的剖面结构示意图。该刻蚀设备包括用于激发产生等离子体的电极线圈101,电极线圈101由连接杆102固定安装在刻蚀设备的顶部,因为连接杆102是固定不可调节的,因此,若要调整电极线圈101的位置,则需要重新进行吊装、拆卸、安装等一系列动作,造成人力物力上的消耗,增大生产成本。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种干法刻蚀设备及刻蚀方法,能够自动控制调节刻蚀装置对基板的刻蚀速率,提升产品良率。为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种干法刻蚀设备,所述刻蚀设备包括:刻蚀装置,刻蚀装置包括电极线圈和调节机构,电极线圈用于激发产生等离子体以对基板进行刻蚀,调节机构与电极线圈连接,用于调整电极线圈与基板之间的距离;检测装置,用于检测基板的刻蚀程度;控制器,分别耦接调节机构和检测装置,用于获取基板的刻蚀程度,并根据刻蚀程度控制调节机构调整电极 ...
【技术保护点】
1.一种干法刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀设备包括:刻蚀装置,包括电极线圈和调节机构,所述电极线圈用于激发产生等离子体以对基板进行刻蚀,所述调节机构与所述电极线圈连接,用于调整所述电极线圈与所述基板之间的距离;检测装置,用于检测所述基板的刻蚀程度;控制器,分别耦接所述调节机构和所述检测装置,用于获取所述基板的刻蚀程度,并根据所述刻蚀程度控制所述调节机构调整所述电极线圈与所述基板之间的距离,以控制所述刻蚀装置对所述基板的刻蚀速率。
【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀设备包括:刻蚀装置,包括电极线圈和调节机构,所述电极线圈用于激发产生等离子体以对基板进行刻蚀,所述调节机构与所述电极线圈连接,用于调整所述电极线圈与所述基板之间的距离;检测装置,用于检测所述基板的刻蚀程度;控制器,分别耦接所述调节机构和所述检测装置,用于获取所述基板的刻蚀程度,并根据所述刻蚀程度控制所述调节机构调整所述电极线圈与所述基板之间的距离,以控制所述刻蚀装置对所述基板的刻蚀速率。2.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀设备还包括机台,所述机台用于承载待刻蚀基板,所述检测装置为光感传感器,所述光感传感器设置在所述机台上,用于检测所述基板的透光率,以根据所述透光率判断所述基板的刻蚀程度。3.根据权利要求2所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述电极线圈和所述光感传感器为多个,所述光感传感器与所述电极线圈的个数相同,并一一相对应设置,多个所述光感传感器阵列排布在所述机台上。4.根据权利要求2所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述光感传感器活动设置在所述机台上,以根据所述基板的大小或位置调整检测点。5.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述控制器为比例-积分-微分控制器。6.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述调节机构为升降机构,所述升降机构包括升降部和驱动部,所述升...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋德伟,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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