【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种感光晶体管、阵列基板及显示面板。
技术介绍
1、在光传感领域，外量子效率(external quantum efficiency，eqe)是衡量光传感器件灵敏度的重要参数，光传感器件的eqe越高，单位面积光照度变化引发的光生电流变化越大，即器件的精度越高。低温多晶硅薄膜晶体管是显示领域中常用的开光元件，同时也是一种潜在的感光元件。当紫外光照射到关态的低温多晶硅薄膜晶体管的漏极轻掺杂区域，会引起较大的漏电流变化，可作为紫外感光传感器集成至显示面板上。但低温多晶硅薄膜晶体管对紫外光的eqe较低，限制了器件对紫外光的检测精度。
2、因此，如何提升低温多晶硅薄膜晶体管对紫外光的eqe，是当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种感光晶体管、阵列基板及显示面板，可以解决现有的感光晶体管对紫外光的eqe较低，限制了器件对紫外光的检测精度的技术问题。
2、本专利技术实施例提供一种感光晶体管，包括：
3、半导体层，包括沟道部、源极接触部、漏极接触部、源极轻掺杂部和漏极轻掺杂部；
4、栅极绝缘层，覆于所述半导体层上；
5、栅极，位于所述栅极绝缘层上，且与所述沟道部对应设置；
6、层间介质层，覆于所述栅极上；以及
7、源极和漏极，位于所述层间介质层上，所述源极与所述源极接触部电连接，所述漏极与所述漏极接触部电连接；
8、其中，所述源极轻掺杂部环绕所述
9、根据本专利技术实施例提供的感光晶体管，所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的平面形状为闭合环状。
10、根据本专利技术实施例提供的感光晶体管，所述源极轻掺杂部、所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的外轮廓的平面形状为多边形、圆形、椭圆形或其他不规则形状中的任意一种。
11、根据本专利技术实施例提供的感光晶体管，所述源极轻掺杂部、所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的外轮廓的平面形状相同。
12、根据本专利技术实施例提供的感光晶体管，所述漏极包括相连接的第一子部和第二子部，所述第一子部位于所述半导体层外围，所述第二子部在所述半导体层上的正投影位于所述漏极接触部内；
13、其中，所述第二子部的外轮廓的平面形状为非闭合环状，所述第二子部包括一开口，所述源极的一端从所述开口穿过并延伸至所述源极接触部上。
14、根据本专利技术实施例提供的感光晶体管，所述半导体层的材料包括低温多晶硅。
15、根据本专利技术实施例提供的感光晶体管，所述漏极轻掺杂部的宽度与所述源极轻掺杂部的宽度相等。
16、本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：
17、衬底基板；
18、上述感光晶体管，所述感光晶体管设置于所述衬底基板上；以及
19、多个驱动晶体管，设置于所述衬底基板上，每一所述驱动晶体管的各膜层与所述感光晶体管的相对应的各膜层同层设置。
20、根据本专利技术实施例提供的阵列基板，定义所述感光晶体管的半导体层包括第一沟道部、第一源极接触部、第一漏极接触部、第一源极轻掺杂部和第一漏极轻掺杂部；
21、定义所述驱动晶体管的半导体层包括第二沟道部、第二源极接触部、第二漏极接触部、第二源极轻掺杂部和第二漏极轻掺杂部；其中，所述第二源极接触部和所述第二漏极接触部位于所述第二沟道部的相对两侧，所述第二源极轻掺杂部位于所述第二源极接触部和所述第二沟道部之间，所述第二漏极轻掺杂部位于所述第二漏极接触部和所述第二沟道部之间。
22、本专利技术实施例提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
23、有益效果：在本专利技术实施例提供的感光晶体管、阵列基板及显示面板中，感光晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间介质层、源极和漏极，本专利技术通过将半导体层设置为采用从外到内依次为漏极接触部/漏极轻掺杂部/沟道部/源极轻掺杂部/源极接触部的多层环绕式结构，具体为，源极轻掺杂部环绕漏极轻掺杂部，漏极接触部环绕漏极轻掺杂部，漏极轻掺杂部环绕源极轻掺杂部，沟道部位于源极轻掺杂部和漏极轻掺杂部之间。其中，漏极轻掺杂部位于半导体层的外环区域，源极轻掺杂部位于半导体层的内环区域，使得漏极轻掺杂部相较于源极轻掺杂部的面积占比较大，漏极轻掺杂部中的耗尽区的面积增大，从而使得单位面积光照度变化引发的光生电流变化增大，有利于提升感光晶体管对紫外光的外量子效率，提升了器件的紫外光检测精度。
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1.一种感光晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的感光晶体管，其特征在于，所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的平面形状为闭合环状。
3.根据权利要求2所述的感光晶体管，其特征在于，所述源极轻掺杂部、所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的外轮廓的平面形状为多边形、圆形、椭圆形或其他不规则形状中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的感光晶体管，其特征在于，所述源极轻掺杂部、所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的外轮廓的平面形状相同。
5.根据权利要求1所述的感光晶体管，其特征在于，所述漏极包括相连接的第一子部和第二子部，所述第一子部位于所述半导体层外围，所述第二子部在所述半导体层上的正投影位于所述漏极接触部内；
6.根据权利要求1所述的感光晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料包括低温多晶硅。
7.根据权利要求1所述的感光晶体管，其特征在于，所述漏极轻掺杂部的宽度与所述源极轻掺杂部的宽度相等。
8.一种阵列基板，其
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，定义所述感光晶体管的半导体层包括第一沟道部、第一源极接触部、第一漏极接触部、第一源极轻掺杂部和第一漏极轻掺杂部；
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8或9所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种感光晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的感光晶体管，其特征在于，所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的平面形状为闭合环状。
3.根据权利要求2所述的感光晶体管，其特征在于，所述源极轻掺杂部、所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的外轮廓的平面形状为多边形、圆形、椭圆形或其他不规则形状中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的感光晶体管，其特征在于，所述源极轻掺杂部、所述漏极轻掺杂部、所述源极接触部、所述漏极接触部和所述沟道部的外轮廓的平面形状相同。
5.根据权利要求1所述的感光晶体管，其特征在于，所述漏极包括相...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭黎明，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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