有机化合物废水处理的复合光催化剂制造技术

本发明专利技术公开了一种有机化合物废水处理的复合光催化剂，本发明专利技术通过水热法一步合成复合光催化剂基体物质CdLa2S4，并通过煅烧的方法制备外貌规整的复合光催化剂，该复合光催化剂可以在紫外光照射下催化降解有机化合物废水，特别是含氮类有机化合物废水的效率高。

【技术实现步骤摘要】
有机化合物废水处理的复合光催化剂
本专利技术涉及废水处理领域，具体是一种有机化合物废水处理的复合光催化剂。
技术介绍
近年来，随着工业生产的快速发展，环境污染问题一直受到人们的普遍关注。随着治理工业污染技术的不断提高，光催化技术，即利用太阳能对污染物进行光催化降解技术在环境治理方面的研究越来越深入。研究光催化剂的另一条思路是寻找新型光催化剂。目前，对可用于光催化的半导体化合物的开发不再是寻找自然界中存在的半导体化合物，而是趋向于人工合成半导体化合物，如CdLa2S4等，然而，单纯以该化合物作为光催化剂的光催化效率不高。因此，亟需开发一种既有良好的光催化降低有机化合物废水处理的复合光催化剂。
技术实现思路
本专利技术公开了一种有机化合物废水处理的复合光催化剂，本专利技术通过水热法一步合成复合光催化剂基体物质CdLa2S4，并通过煅烧的方法制备外貌规整的复合光催化剂，该复合光催化剂可以在紫外光照射下催化降解有机化合物废水，特别是含氮类有机化合物废水的效率高。为达此目的，本专利技术提供一种制备有机化合物废水处理的复合光催化剂：该复合光催化剂包括SiC和CdLa2S4，基于CdLa2S4重量计，SiC的重量分数为0.1％～20％，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)CdLa2S4的制备，包括以下子步骤：(1-1)将Cd(NO3)2·4H2O、La(NO3)3·6H2O及硫脲置于水中，Cd(NO3)2·4H2O的摩尔量以其中的Cd元素的摩尔量计，La(NO3)3·6H2O的摩尔量以其中的La元素的摩尔量计，硫脲的摩尔量以其中的S元素的摩尔量计，使Cd(NO3)2·4H2O的摩尔量、La(NO3)3·6H2O的摩尔量和硫脲的摩尔量之比为Cd(NO3)2·4H2O:La(NO3)3·6H2O:硫脲＝1:(2～3):(4～8)，在100～170℃的高温下恒温反应，制得沉淀物；(1-2)将步骤(1-1)中制得的沉淀物从反应体系中分离出来，洗涤、干燥，得CdLa2S4样品；(2)复合光催化剂SiC/CdLa2S4的制备，包括以下子步骤：(2-1)分别称取步骤(1)中制备的CdLa2S4和SiC进行混合研磨，将研磨后的混合粉末置于盛有溶剂的容器中；(2-2)去除溶剂、干燥、煅烧，煅烧温度为300℃～900℃，煅烧后冷却，得到复合光催化剂SiC/CdLa2S4。优选的，在步骤(1)之后，步骤(2)之前，还包括以下步骤:SiC的预处理，该步骤包括以下子步骤：(1)将SiC粉末在300℃～900℃的高温下煅烧，再在HF溶液中浸渍，制得SiC悬浊液；(2)将步骤(1)制得的SiC悬浊液进行分离，并对分离得到的固体洗涤、干燥，制得SiC样品。优选的，步骤(1-1)中，温度为120～165℃。具体实施方式下面通过对本专利技术进行详细说明，本专利技术的特点和优点将随着这些说明而变得更为清楚、明确。一种有机化合物废水处理的复合光催化剂SiC/CdLa2S4的制备方法，该复合光催化剂包括SiC和CdLa2S4，基于CdLa2S4重量计，SiC的重量分数为0.1％～20％，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)CdLa2S4的制备，包括以下子步骤：(1-1)将Cd(NO3)2·4H2O、La(NO3)3·6H2O及硫脲置于水中，Cd(NO3)2·4H2O的摩尔量以其中的Cd元素的摩尔量计，La(NO3)3·6H2O的摩尔量以其中的La元素的摩尔量计，硫脲的摩尔量以其中的S元素的摩尔量计，使Cd(NO3)2·4H2O的摩尔量、La(NO3)3·6H2O的摩尔量和硫脲的摩尔量之比为Cd(NO3)2·4H2O:La(NO3)3·6H2O:硫脲＝1:(2～3):(4～8)，在100～170℃的高温下恒温反应，制得沉淀物；(1-2)将步骤(1-1)中制得的沉淀物从反应体系中分离出来，洗涤、干燥，得CdLa2S4样品；(2)复合光催化剂SiC/CdLa2S4的制备，包括以下子步骤：(2-1)分别称取步骤(1)中制备的CdLa2S4和SiC进行混合研磨，将研磨后的混合粉末置于盛有溶剂的容器中；(2-2)去除溶剂、干燥、煅烧，煅烧温度为300℃～900℃，煅烧后冷却，得到复合光催化剂SiC/CdLa2S4。在步骤(1)之后，步骤(2)之前，还包括以下步骤:SiC的预处理，该步骤包括以下子步骤：(1)将SiC粉末在300℃～900℃的高温下煅烧，再在HF溶液中浸渍，制得SiC悬浊液；(2)将步骤(1)制得的SiC悬浊液进行分离，并对分离得到的固体洗涤、干燥，制得SiC样品。在步骤(1-1)中，温度为120～165℃。以上结合具体实施例描述了本专利技术的技术原理。这些描述只是为了解释本专利技术的原理，而不能以任何方式解释为对本专利技术保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本专利技术的其它具体实施方式，这些方式都将落入本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.将SiC粉末在300℃～900℃的高温下煅烧，再在HF溶液中浸渍，制得SiC悬浊液；将步骤(1)制得的SiC悬浊液进行分离，并对分离得到的固体洗涤、干燥，制得SiC样品。

【技术特征摘要】
1.将SiC粉末在300℃～900℃的高温下煅烧，再在HF溶液中浸渍，制得SiC悬浊液；将步骤(1)制得的SiC悬浊液进行分离，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：佛山市洁灏环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44