根据本申请公开的技术，提供一种气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部(雾化器部)，其由氟树脂形成，并且使用载气(雾化气体)将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。根据所述技术，能够在将液体原料气化的气化器中，防止由于液体原料、和与液体原料接触的气化器的构成部件发生反应而导致的金属污染的发生。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气化器、衬底处理装置及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及气化器、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
技术介绍
作为大规模集成电路(LargeScaleIntegratedCircuit：以下LSI)的元件间分离的方法，使用在成为衬底的硅上在欲分离的元件间形成槽或孔等空隙，并在该空隙中堆积绝缘物的方法。作为绝缘物，例如使用硅氧化膜(SiO膜)。SiO膜可由Si衬底自身的氧化、化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition：CVD)、绝缘物涂布法(SpinOnDielectric：SOD)而形成。其中，对于SOD而言，近年来，作为涂布绝缘材料，研究了使用聚硅氮烷(SiH2NH)(或，全氢聚硅氮烷：称为PHPS)。对于聚硅氮烷而言，当形成薄膜时，使用例如旋转涂布机将其涂布于衬底上。自制造时的过程起，聚硅氮烷包含由氨带来的氮等杂质。因此，为了从使用聚硅氮烷所形成的涂布膜中除去杂质、得到致密的SiO膜，需要在涂布后实施改质处理。作为由聚硅氮烷膜得到致密的SiO膜的方法，例如如现有技术文献1所公开的技术那样，已知向聚硅氮烷膜供给包含过氧化氢(H2O2)的气体从而将聚硅氮烷膜改质。另外，同样地，代替以往的利用CVD法的埋入方法，还研究了利用可流动CVD(FlowableCVD)法而在空隙中埋入绝缘材料的方法，已知利用同样的方法来实施用于获得致密的SiO膜的改质处理。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2013/077321
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为生成包含H2O2的气体的方法之一，可考虑利用气化器将包含H2O2的液体原料气化而得到包含H2O2的气化气体。从气化效率的观点考虑，对于以往的气化器而言，通常使用热传导性良好的金属制的气化器。然而，H2O2为反应性高的化合物，具有腐蚀大部分金属的性质。因此，在使用以往的气化器将包含H2O2的液体原料气化的情况下，与液体原料接触的金属被腐蚀。由于特别是与液体原料接触的加热部分为高温，因此，该部分中使用的金属的腐蚀变得显著。因而，在使用以往的气化器的情况下，与金属的腐蚀相伴而来的金属污染(metalcontamination)的发生是无法避免的。尤其是在半导体器件的制造过程中，防止金属污染的发生是极为重要的课题。本专利技术的目的在于，提供一种在将液体原料气化的气化器中，防止金属污染的发生的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部(雾化器部)，其由氟树脂形成，并且使用载气(雾化气体)将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。专利技术的效果根据本专利技术，能够在将液体原料气化的气化器中，防止金属污染的发生。附图说明[图1]为示出一个实施方式涉及的衬底处理装置的构成的概略构成图。[图2]为示出一个实施方式涉及的衬底处理装置所具备的处理炉的构成的纵剖面概略图。[图3]为示出一个实施方式涉及的衬底处理装置所具备的气化器的概略的纵剖面结构图。[图4]为构成一个实施方式涉及的气化器的气化部的详细的纵剖面结构图。[图5]为构成一个实施方式涉及的气化器的雾化部的详细的纵剖面结构图。[图6]为一个实施方式涉及的衬底处理装置所具备的控制器的概略构成图。[图7]为示出针对一个实施方式涉及的衬底处理工序的预处理工序的流程图。[图8]为示出一个实施方式涉及的衬底处理工序的流程图。具体实施方式＜本专利技术的一个实施方式＞以下，参照附图，更详细地说明本专利技术的优选实施方式。(1)衬底处理装置的构成首先，使用图1及图2，对实施本实施方式涉及的半导体器件的制造方法的衬底处理装置10的构成例进行说明。本衬底处理装置10是使用将含有过氧化氢(H2O2)的液体原料、即双氧水气化而生成的处理气体来处理衬底的装置。本衬底处理装置10是对作为由例如硅等形成的衬底的晶片200进行处理的装置。本衬底处理装置10适合用于对具有作为微细结构的凹凸结构(空隙)的晶片200进行处理的情况。在本实施方式中，在微细结构的凹槽中填充作为含硅膜的聚硅氮烷膜，利用处理气体对该聚硅氮烷膜进行处理，从而形成SiO膜。需要说明的是，在本实施方式中，示出了利用处理气体处理聚硅氮烷膜的例子，但不限于聚硅氮烷膜，在对例如包含硅元素、氮元素和氢元素的膜、尤其是具有硅氮烷键(silizanebond)的膜、四甲硅烷基氨(tetrasilylamine)与氨的等离子体聚合膜等进行处理的情况下，也可适用本专利技术。需要说明的是，在本实施方式中，将H2O2气化或雾化而得到的物质(即气态的H2O2)称为H2O2气体，将至少包含H2O2气体的气体称为处理气体，将包含H2O2的液态的水溶液称为双氧水或液体原料。(处理容器)如图1所示，处理炉202具有处理容器(反应管)203。处理容器203由例如石英或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为下端开口的圆筒形。在处理容器203的筒中空部形成有处理室201，并且构成为能够通过后文描述的晶舟217而以水平姿势在垂直方向上以多层排列的状态收容作为衬底的晶片200。在处理容器203的下部，设置有能够将处理容器203的下端开口(炉口)气密地密封(封闭)的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219构成为从垂直方向下侧抵接于处理容器203的下端。密封盖219形成为圆板状。作为衬底的处理空间的处理室201由处理容器203和密封盖219构成。(衬底保持部)作为衬底保持部的晶舟217构成为能够以多层保持多张晶片200。晶舟217具有保持多张晶片200的多根支柱217a。支柱217a具有例如3根。多根支柱217a分别架设在底板217b与顶板217c之间。多张晶片200在支柱217a上以水平姿势并且使彼此中心对齐的状态下排列从而在管轴方向上以多层保持。作为支柱217a、底板217b、顶板217c的构成材料，可使用例如碳化硅、氧化铝(AlO)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)、氧化锆(ZrO)等热传导性良好的非金属材料。在晶舟217的下部，设置有由例如石英、碳化硅等耐热材料构成的隔热体218，并且构成为使来自第一加热部207的热不易传导至密封盖219侧。隔热体218作为隔热部件而发挥功能，并且还作为保持晶舟217的保持体而发挥功能。(升降部)在处理容器203的下方，设置有晶舟升降机，其作为使晶舟217升降从而向处理容器203的内外搬送的升降部。在晶舟升降机上，设置有当利用晶舟升降机而使晶舟217上升了的时候将炉口密封的密封盖219。在密封盖219的与处理室201相反一侧，设置有使晶舟217旋转的晶舟旋转机构267。晶舟旋转机构267的旋转轴261贯通密封盖219并连接于晶舟217，构成为通过使晶舟217旋转从而使晶片200旋转。(第一加热部)在处理容器203的外侧，以围绕处理容器203的侧壁面的同心圆状设置有对处理容器203内的晶片200进行加热的第一加热部207。第一加热部207被设置成由加热器底座206支承。如图2所示，第一加热部207具有第一～第四加热器单元207a～207d。第一～第四加热器单元207a～207d分别沿晶片200在处理容器203内的叠层方向设置。在处理容器203内，按照每个作为加热部的第一～第四加热器单元207a～207d，在处理容器203与晶舟21本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部，其由氟树脂形成，并且使用载气将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部，其由氟树脂形成，并且使用载气将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。2.根据权利要求1所述的气化器，其中，所述雾化部具有第一部件区和第二部件区，所述第一部件区以将所述气化室的内表面的所述石英部件的端部密封的方式与其接触，并且在露出于所述气化室内的部分设置喷出孔，所述第二部件区以与所述第一部件区重合的方式设置，并且具备将所述液体原料朝向所述第一部件区的所述喷出孔排出的喷嘴部，在所述第一部件区与所述第二部件区之间形成有与所述喷出孔连通、并导入所述载气的间隙，所述喷出孔及所述喷嘴部构成为将被导入所述间隙的所述载气与从所述喷嘴部排出的液体原料一同从所述喷出孔喷出。3.根据权利要求1所述的气化器，其中，所述气化室的内表面的石英部件形成为圆筒状，所述雾化部以将所述圆筒状的所述石英部件的端部密封的方式与其接触，并且构成为以将所述圆筒状的开口部封堵的方式连接于所述气化室。4.根据权利要求3所述的气化器，其具备弹性部件，所述弹性部件安装于所述雾化部、并构成为朝向所述石英部件的端部推压所述雾化部。5.根据权利要求2所述的气化器，其具备弹性部件，所述弹性部件安装于所述第二部件区、并构成为朝向所述第一部件区及所述石英部件的端部的方向推压所述第二部件区。6.根据权利要求4所述的气化器，其中，所述弹性部件的一端安装于与所述气化室的相对位置被固定了的结构，其另一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：立野秀人，田中昭典，原大介，奥野正久，定田拓也，塚本刚史，堀井贞义，角田彻，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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