原子层生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种在基板上形成薄膜的原子层生长装置，具备：成膜容器；在成膜容器内设置的平台；在平台上保持基板的基座；配置在基板上且尺寸包围基板的掩模；能够支撑掩模上下可动的掩模销；以及在上下方向上贯通平台及基座并使掩模销能够以上下可动的方式插通的掩模销孔，基座具备：具有基板的保持面的基座主体；位于基座主体的周围且高度比保持面低的基座周缘部，掩模销孔在基座周缘部开口，在基座周缘部的掩模包围的区域内，在保持面的周围设置向上方侧排出气体的惰性气体供给口，惰性气体供给口与供给惰性气体的惰性气体供给路径连接。

Atomic layer growth device

The invention is a kind of atomic layer thin film is formed on the substrate with film growth device: container; container arranged in the membrane platform; holding the substrate base on the platform; the mask is configured on the substrate and the size of surrounding substrate; capable of supporting the mask mask and the movable pin; through the platform and the base in the vertical direction and the mask to mask the pin hole, pin can movably inserted above the base has a substrate holding surface base body; is located around the base body and keep the low base height ratio surface edge mask, pin hole in the base edge of the opening on the base, a peripheral portion of the mask area enclosed in an inert gas supply side around the exhaust gas to the top side set mouth, connected with an inert gas supply path of inert gas supply port and supply of inert gas.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层生长装置
本专利技术涉及在基板上形成薄膜的原子层生长装置。
技术介绍
众所周知，原子层生长法是在基板上交互供给构成要形成的薄膜的元素的气体，在基板上以原子层单位形成薄膜，因此使薄膜均匀地形成的技术。原子层生长法与一般的CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法比较，阶差覆盖性、膜厚控制性更佳。传统的溅射成膜装置中，能够利用专利文献1那样的掩模。溅射成膜的膜的阶差覆盖性低，因此掩模背面的成膜量小，从而颗粒发生量少，保养周期也长。但是，在原子层生长成膜中，膜的阶差覆盖性高，因此掩模背面的沉积膜量多。侵入微细间隙的气体形成厚膜及粉末，成为颗粒的要因。尤其是为了维持掩模的平坦性，掩模的表面粗糙度不能变大，因此，掩模更换频度增大。因而，在利用掩模的原子层生长成膜中，从基座周边吹扫惰性气体是有效的。专利文献2中，在平台设置气体供给口，从基座的背面供给惰性气体。现有技术文献专利文献【专利文献1】日本专利特开2004-339581号公报【专利文献2】日本专利特开2000-243711号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题但是，按照专利文献2所示装置，若在平台本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原子层生长装置，是在基板上形成薄膜的原子层生长装置，其特征在于，具备：成膜容器；设置在所述成膜容器内的平台；在所述平台上保持所述基板的基座；配置在所述基板上且尺寸包围所述基板的掩模；能够支撑所述掩模上下可动的掩模销；以及在上下方向上贯通所述平台及所述基座并使所述掩模销能够以上下可动的方式插通的掩模销孔，所述基座具备：具有所述基板的保持面的基座主体；位于所述基座主体的周围且高度比所述保持面低的基座周缘部，所述掩模销孔在所述基座周缘部开口，在所述基座周缘部的所述掩模包围的区域内，在所述保持面的周围设置向上方侧排出气体的惰性气体供给口，所述惰性气体供给口与供给惰性气体的惰性气体供给路径连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.26 JP 2015-1068561.一种原子层生长装置，是在基板上形成薄膜的原子层生长装置，其特征在于，具备：成膜容器；设置在所述成膜容器内的平台；在所述平台上保持所述基板的基座；配置在所述基板上且尺寸包围所述基板的掩模；能够支撑所述掩模上下可动的掩模销；以及在上下方向上贯通所述平台及所述基座并使所述掩模销能够以上下可动的方式插通的掩模销孔，所述基座具备：具有所述基板的保持面的基座主体；位于所述基座主体的周围且高度比所述保持面低的基座周缘部，所述掩模销孔在所述基座周缘部开口，在所述基座周缘部的所述掩模包围的区域内，在所述保持面的周围设置向上方侧排出气体的惰性气体供给口，所述惰性气体供给口与供给惰性气体的惰性气体供给路径连接。2.如权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，以所述基座主体为基准，在所述掩模销孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本龙弥，鹫尾圭亮，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP