衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种能够高效率地进行处理室内的排气的技术。本发明专利技术的解决手段为，衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行处理；处理气体供给系统，向处理室内供给处理气体；第一排气系统，与第一泵和类型不同于第一泵的第二泵连接，且对处理室内进行排气；第二排气系统，与第二泵连接且对处理室内进行排气；以及控制部，以对第一排气系统及第二排气系统进行如下控制的方式构成：在将供给至处理室内的处理气体从处理室内排出时，优先从第二排气系统对处理室内进行排气，当处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从第二排气系统切换成第一排气系统，并从第一排气系统对处理室内进行排气。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
随着半导体器件(设备)的微细化及晶片大口径化，有使处理室内的容积增大的趋势。若处理室内的容积增大的话，则在将处理室内的残留气体排出时会比以往更花费时间。由此，存在成膜所需的时间与以往的工艺相比变长的影响。在下述的专利文献1中，公开了将排气特性不同的3种泵同时驱动来进行处理室内的排气。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9-184482号公报
技术实现思路
若处理室内的排气效率低下的话，则会在排气时花费时间，并给生产率带来不良影响。本专利技术的目的在于提供一种能够高效率地进行处理室内的排气的技术。根据本专利技术的一方案，提供一种技术，具有：处理室，其对衬底进行处理；处理气体供给系统，其向所述处理室内供给处理气体；第一排气系统，其与第一泵和类型不同于所述第一泵的第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；第二排气系统，其与所述第二泵连接且对所述处理室内进行排气；以及控制部，其构成为以如下方式对所述第一排气系统及所述第二排气系统进行控制：在将供给至所述处理室内的所述处理气体从所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对衬底进行处理；处理气体供给系统，其向所述处理室内供给处理气体；第一排气系统，其与第一泵和类型不同于所述第一泵的第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；第二排气系统，其与所述第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；以及控制部，其构成为以如下方式对所述第一排气系统及所述第二排气系统进行控制：在将供给至所述处理室内的所述处理气体从所述处理室内排出时，先从所述第二排气系统对所述处理室内进行排气，当所述处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从所述第二排气系统切换成所述第一排气系统，并从所述第一排气系统对所述处理室内进行排气。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 JP 2014-2008831.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对衬底进行处理；处理气体供给系统，其向所述处理室内供给处理气体；第一排气系统，其与第一泵和类型不同于所述第一泵的第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；第二排气系统，其与所述第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；以及控制部，其构成为以如下方式对所述第一排气系统及所述第二排气系统进行控制：在将供给至所述处理室内的所述处理气体从所述处理室内排出时，先从所述第二排气系统对所述处理室内进行排气，当所述处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从所述第二排气系统切换成所述第一排气系统，并从所述第一排气系统对所述处理室内进行排气。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，与所述第二泵相比，所述第一泵在低压区域内的排气效率更高。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一泵是轴流泵，所述第二泵是干式真空泵。4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一泵设置在从所述处理室离开规定距离的位置上。5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，所述规定距离为1m以下。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一泵设置在所述衬底处理装置的壳体内。7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一排气系统包含闸阀，所述第二排气系统包含APC阀。8.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一泵与所述第二泵相比设置在离所述处理室更近的位置上。9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述规定压力为10～100Pa。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：小前泰彰，野上孝志，吉田秀成，谷山智志，小竹繁，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP