等离子体原子层生长装置制造方法及图纸

一种等离子体原子层生长装置，具备：能够从成膜容器内侧安装到气体导入开口部并包围气体导入开口部的开口的筒状绝缘性喷射器防粘构件；能够从成膜容器内侧安装到排气开口部并包围排气开口部的开口的筒状绝缘性排气防粘构件；能够安装到成膜容器的内壁侧的绝缘性成膜室防粘构件，喷射器防粘构件在与平板电极及相对电极侧之间具有间隙，以平板电极端为基准，前端位于内侧，排气防粘构件在与平板电极及相对电极侧之间具有间隙，以平板电极端为基准，前端位于内侧，成膜室防粘构件在喷射器防粘构件及排气防粘构件的两侧方配置为横跨喷射器防粘构件和排气防粘构件，在与平板电极及相对电极侧之间具有间隙，并具备：从上述间隙向成膜容器的内侧吹扫惰性气体的上部惰性气体供给口；从上述间隙向成膜容器的内侧吹扫惰性气体的下部惰性气体供给口；与上部惰性气体供给口连接的上部惰性气体供给部；与下部惰性气体供给口连接的下部惰性气体供给部。

Plasma atomic layer growth device

A plasma atomic layer growth device, has a cylindrical opening to the film from the inside of the container to install gas into the opening portion and surrounding gas into the opening portion of the insulator component of anti sticking to opening injection; cylindrical film from the inner container is mounted to the exhaust opening and exhaust openings surrounded by insulation an anti sticking component; insulating film forming chamber inner wall can be installed into the container and anti sticking membrane component, ejector anti sticking member has a gap between the electrode and the opposite electrode plate and side plate electrode to end as a benchmark, is located in front of the inner side of the exhaust, anti sticking member has a gap between the electrode and plate and the relative electrode side to plate electrode end as the base, located in front of the inner membrane chamber member in the anti sticking configuration on both sides of anti sticking member and exhaust injector for anti sticking component across the injector to prevent Viscous component and exhaust anti sticking component, between plate electrode and the opposite electrode side has a gap, and has upper blowing inert gas supply and inert gas from the gap to the inside film container port; blowing inert gas supply of inert gas from the sweep gap to the medial membrane container port; the upper part of the inert gas supply part is connected with the upper part of the inert gas supply port; the lower part is connected with the lower part of the inert gas supply of inert gas supply port.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体原子层生长装置
本专利技术涉及在基板上形成薄膜的等离子体原子层生长装置。
技术介绍
众所周知，原子层生长法是在基板上交互供给构成要形成的薄膜的元素的气体，在基板上以原子层单位形成薄膜，使薄膜均一形成的技术。原子层生长法与一般的CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法比较，阶差覆盖性、膜厚控制性更佳。若通过原子层生长法反复形成薄膜，则在成膜容器的内表面也会附着薄膜。成膜容器内表面附着的薄膜的厚度若变厚，则堆积的薄膜剥离，其一部分形成颗粒，成为在基板上形成的薄膜的质量劣化的原因。因此，优选为定期地去除成膜容器的内表面附着的薄膜。专利文献1中，提出了在CVD成膜、溅射成膜等的气相生长装置中，使用防粘板并且用非晶质膜覆堆积在腔室的内壁的堆积物的处理方法及装置。传统的气相生长装置中，能够通过相关的单元来降低清洁的频度，但是在腔的内壁堆积的堆积物、覆盖堆积物的非晶质膜的厚度达到规定的厚度以上时，需要用湿法蚀刻方法清洁。但是，湿法蚀刻方法中，为了开启成膜容器，成膜容器越大型，开启操作越费工夫，因此在能够采用气体蚀刻方法时，优选为采用气体蚀刻方法。但是，为了通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体原子层生长装置，其具备：成膜容器；与保持在所述成膜容器内的基板相对设置的平板电极；在所述成膜容器内部保持基板的相对电极；设于所述成膜容器的一侧壁部的气体导入开口部；以及设于与所述一侧壁部相对的所述成膜容器的另一侧壁部的排气开口部，所述等离子体原子层生长装置在所述基板上形成薄膜，该等离子体原子层生长装置的特征在于，具备：能够从所述成膜容器的内侧安装到所述气体导入开口部并呈筒状地配置为包围所述气体导入开口部的开口的绝缘性喷射器防粘构件；能够从所述成膜容器的内侧安装到所述排气开口部并呈筒状地配置为包围所述排气开口部的开口的绝缘性排气防粘构件；以及能够安装到所述成膜容器的内壁侧的绝缘性成膜...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.26 JP 2015-1068581.一种等离子体原子层生长装置，其具备：成膜容器；与保持在所述成膜容器内的基板相对设置的平板电极；在所述成膜容器内部保持基板的相对电极；设于所述成膜容器的一侧壁部的气体导入开口部；以及设于与所述一侧壁部相对的所述成膜容器的另一侧壁部的排气开口部，所述等离子体原子层生长装置在所述基板上形成薄膜，该等离子体原子层生长装置的特征在于，具备：能够从所述成膜容器的内侧安装到所述气体导入开口部并呈筒状地配置为包围所述气体导入开口部的开口的绝缘性喷射器防粘构件；能够从所述成膜容器的内侧安装到所述排气开口部并呈筒状地配置为包围所述排气开口部的开口的绝缘性排气防粘构件；以及能够安装到所述成膜容器的内壁侧的绝缘性成膜室防粘构件，在所述喷射器防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙，且以所述气体导入开口部侧的所述平板电极端为基准，所述喷射器防粘构件的前端位于内侧，在所述排气防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙，且以所述排气开口部侧的所述平板电极端为基准，所述排气防粘构件的前端位于内侧，所述成膜室防粘构件至少位于所述喷射器防粘构件及所述排气防粘构件的两侧方，在所述成膜室防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙，而且该等离子体原子层生长装置具备：从所述平板电极与所述成膜室防粘构件之间的所述间隙向所述成膜容器的内侧吹扫惰性气体的上部惰性气体供给口；从所述相对电极与所述喷射器防粘构件、所述排气防粘构件及所述成膜室防粘构件之间的所述间隙向所述成膜容器的内侧吹扫惰性气体的下部惰性气体供给口；与所述上部惰性气体供给口连接的上部惰性气体供给部；与所述下部惰性气体供给口连接的下部惰性气体供给部。2.如权利要求1所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述喷射器防粘构件以所述气体导入开口部侧的所述平板电极端为基准，从所述平板电极端向所述平板电极中央方向延伸，使得前端位置位于0.1mm以上200mm以下的范围内，所述排气防粘构件以所述排气开口部侧的所述平板电极端为基准，从所述平板电极端向所述平板电极中央方向延伸，使得前端位置位于0.1mm以上200mm以下的范围内。3.如权利要求1或2所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述喷射器防粘构件的筒状开口部的侧端部从由所述相对电极保持的基板的侧方侧的端部向外侧具有0.1mm以上200mm以下的距离，所述排气防粘构件的筒状开口部的侧端部从由所述相对电极保持的基板的侧方侧的端部向外侧具有0.1mm以上200mm以下的距离。4.如权利要求1～3的任一项所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述成膜室防粘构件具有覆盖所...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本龙弥，鹫尾圭亮，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP