腔体结构、化学气相沉积设备及处理腔室制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体设备腔体结构，腔体结构包括：缓冲腔室；至少一个支撑板，支撑板设置于缓冲腔室内，用于承载半导体制程中的承载盘，其中，支撑板包括：冷却层，用于冷却所述承载盘；表面膜层，形成于冷却层表面，以促进冷却层对所述承载盘进行冷却，通过上述方案，本实用新型专利技术提供一种腔体结构，其可以作为MOCVD设备的缓冲腔室，对腔室结构中的冷却结构进行改进，在冷却层的表面形成表面膜层，特别可以是黑色导热膜层，黑色导热膜层更有利于吸附来自承载盘的热量加快承载盘的冷却，并进一步配合水冷水道的热量交换，从而加快在冷却层上的承载盘降温速度。

【技术实现步骤摘要】
腔体结构、化学气相沉积设备及处理腔室
本技术涉及一种半导体设备制造
，特别是涉及一种腔体结构、化学气相沉积设备及处理腔室。
技术介绍
CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)，是指反应物质在气态条件下在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程，CVD设备就是在衬底表面实现化学气相沉积的设备。MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备作为一种典型的CVD设备，能够提供在衬底(例如蓝宝石衬底片)晶片表面生长用于发光的晶体结构，例如GaN(氮化镓)时所需的温度、压力、化学气体组分等条件。MOCVD设备中设有真空的反应腔，反应腔中设有托盘，通过进气装置(例如喷淋头)将反应气体引入反应腔内，并输送到放置在托盘上的多个衬底晶片的表面进行化学反应，从而生长出特定的晶体结构例如GaN结构。另外，一般的CVD设备为了提高设备产能，在设备的反应腔之外，会设置额外的缓冲腔体，以暂时存放预生长的承载盘或已经生长完毕等待冷却的承载盘，达到提高承载盘周转周期的目的，然而，在这个缓冲腔体中，目前其冷却速度慢，承载盘的冷却时间影响到了整个CVD设备运行的效率。因此，如何提供一种作为缓冲腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备腔体结构，其特征在于，所述腔体结构包括：缓冲腔室；至少一个支撑板，所述支撑板设置于所述缓冲腔室内，用于承载半导体制程中的承载盘，其中，所述支撑板包括：冷却层，用于冷却所述承载盘；表面膜层，形成于所述冷却层表面，所述表面膜层用于促进所述冷却层对所述承载盘进行冷却。

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备腔体结构，其特征在于，所述腔体结构包括：缓冲腔室；至少一个支撑板，所述支撑板设置于所述缓冲腔室内，用于承载半导体制程中的承载盘，其中，所述支撑板包括：冷却层，用于冷却所述承载盘；表面膜层，形成于所述冷却层表面，所述表面膜层用于促进所述冷却层对所述承载盘进行冷却。2.根据权利要求1所述的半导体设备腔体结构，其特征在于，所述表面膜层包括导热膜层。3.根据权利要求2所述的半导体设备腔体结构，其特征在于，所述导热膜层包括黑色导热材料膜层。4.根据权利要求2所述的半导体设备腔体结构，其特征在于，所述导热膜层包括通过物理处理方式或通过化学处理方式形成于所述冷却层表面的导热膜层，其中，通过物理处理方式形成于所述冷却层表面的所述导热膜层包括贴置于所述冷却层表面的导热膜层。5.根据权利要求1所述的半导体设备腔体结构，其特征在于，所述表面膜层包括形成于所述冷却层靠近所述承载盘一侧的上表面膜层以及与所述上表面膜层相对的下表面膜层。6.根据权利要求1所述的半导体设备腔体结构，其特征在于，所述冷却层的数量为至少一层；所述冷却层内形成有若干条冷却水道和/或所述冷却层内开设有若干个...

【专利技术属性】
技术研发人员：金文彬，任立，
申请(专利权)人：中晟光电设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31