连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构制造技术

本发明专利技术公开了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接。每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部。与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。该隧道式金属线的布线区域不局限于该常规芯片内部以及芯片与芯片中间的空白区域，也可以从其他芯片内部进行布线。因此切割道处的金属线并不密集，当晶圆切割时，金属线不易连接在一起造成短路，从而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。

Tunnel metal wire structure connecting conventional chips and test chips in wafer

The invention discloses a tunnel metal wire structure connecting a conventional chip in a wafer with a special chip for testing. Each test chip is surrounded by a plurality of conventional chips, and each test chip is connected with the plurality of conventional chips through metal wires. Each test-specific chip passes through at least two conventional chips with a wiring area of metal wires connected to each conventional chip that is not adjacent to it. The conventional chip adjacent to the special chip for testing is four conventional chips located above, below, left and right of the special chip for testing, while the other conventional chips are not adjacent to the special chip for testing. The routing area of the tunnel metal wire is not limited to the inside of the conventional chip and the blank area between the chip and the chip, but also can be wired from the inside of other chips. Therefore, the metal wires at the cutting path are not dense. When the wafer is cut, the metal wires are not easily connected to cause short circuit, thus greatly improving the chip yield of the wafer cutting process.

【技术实现步骤摘要】
连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构
本专利技术涉及芯片设计领域，特别涉及一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。
技术介绍
晶圆切割是半导体芯片制造工艺流程中一道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序，就是将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片。通常晶圆切割工序是在晶圆测试后进行，在晶圆测试环节，为实现芯片的功能测试，有一种方法是在晶圆上除了制作出一些常规的芯片以外，还会制作出测试专用芯片，通过金属线将测试专用芯片的焊盘与常规芯片的焊盘以及内部电路进行相连从而实现测试。图1所示，正中位置的大正方形是测试专用芯片100，其余大正方形是常规芯片，芯片表面的一个个小正方形就是焊盘，通常每个常规芯片内部引出的金属线需经过芯片与芯片之间的空白区域内部(切割道)最终连接至测试专用芯片。这就导致这种具有测试专用芯片的晶圆在进行晶圆切割时，切割道处的金属线非常密集，无论是传统的金刚石锯片切割还是新型的激光切割，产生的机械应力使得金属线翘曲，经常会出现切割道处的金属线连接在一起，造成短路导致常规芯片失效，影响芯片的良率。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线，可以基本解决因晶圆切割所产生的金属线短路问题，进而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接。每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部。与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。在一优选的实施方式中，每个测试专用芯片与其毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域仅穿过一个常规芯片内部。在一优选的实施方式中，所述隧道式金属线的材料是铜。与现有技术相比，本专利技术的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构具有如下有益效果：该隧道式金属线结构中，连接单个常规芯片与测试专用芯片的金属线的布线区域不局限于该常规芯片内部以及芯片与芯片中间的空白区域，也可以从其他芯片内部进行布线。因此切割道处的金属线并不密集，当晶圆切割时，金属线不易连接在一起造成短路，从而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。附图说明图1是现有技术的一种晶圆内常规芯片与测试专用芯片的金属线连接示意图。图2是根据本专利技术一实施方式的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线的平面结构示意图。图3是根据本专利技术一实施方式的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线的剖面结构示意图。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。本专利技术提供了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构，能够避免晶圆切割所造成的金属线短路问题。其原理是将位于切割道处的金属线分布变得稀疏，这样当晶圆切割时，切割道处的金属线不容易连接在一起而造成芯片短路。图2是根据本专利技术一实施方式的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线的平面结构示意图。芯片上面的一个个小正方形代表一个焊盘，焊盘是芯片测试时的针测区域。常规芯片的焊盘以及内部电路和测试专用芯片的焊盘通过金属线相连，从而实现测试。从图中可以看出，金属线不再是密集地分布在切割道区域，而是穿过各个芯片内部从而实现每个常规芯片与测试专用芯片100的连接。图中，芯片A、B、C、D是与测试专用芯片毗邻的芯片。芯片E不与测试专用芯片毗邻。芯片A、B、C、D的金属线布线区域是该芯片内部以及测试专用芯片100内部。芯片E的金属线布线区域是该芯片内部、一个常规芯片内部(B或D)以及测试专用芯片100内部。所有金属线形成隧道式结构，这样金属线在切割道区域就变得稀疏，当晶圆切割时，不易出现金属线短路造成芯片功能异常。优选地，金属线的材料是铜。图3是根据本专利技术一实施方式的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线的剖面结构示意图。每个常规芯片与测试专用芯片连接的金属线大部分线段都是穿过芯片的内部，使得位于切割道处的金属线变得没有那么密集。综上，该隧道式金属线结构中，连接单个常规芯片与测试专用芯片的金属线的布线区域不局限于该常规芯片内部以及芯片与芯片中间的空白区域，也可以从其他芯片内部进行布线。因此切割道处的金属线并不密集，当晶圆切割时，金属线不易连接在一起造成短路，从而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。前述对本专利技术的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本专利技术限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本专利技术的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本专利技术的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本专利技术的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构，每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接，其特征在于，每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部，其中，与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。

【技术特征摘要】
1.一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构，每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接，其特征在于，每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部，其中，与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文赫，纪莲和，张贺丰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，国网信息通信产业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11