用于选择缺陷检验的配方的方法及系统技术方案

本发明专利技术揭示用于选择适用于缺陷检验的光学模式的方法及系统。一种方法可包含：利用一组光学模式来扫描特定类型的全堆叠晶片以获得一组全堆叠晶片图像；及基于由所述组全堆叠晶片图像指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述全堆叠晶片以产生经逆向处理晶片，从而促进对适用于所述特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式的选择。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于选择缺陷检验的配方的方法及系统相关申请案的交叉参考本申请案依据35U.S.C.§119(e)主张2016年2月1日提出申请的序列号为62/289,870的美国临时申请案的权益。所述序列号为62/289,870的美国临时申请案特此以全文引用方式并入。本申请案依据35U.S.C.§119(e)也主张2016年10月20日提出申请的序列号为62/410,669的美国临时申请案的权益。所述序列号为62/410,669的美国临时申请案特此以全文引用方式并入。
本专利技术一般来说涉及检验领域，且特定来说涉及半导体装置的检验。
技术介绍
例如硅晶片等薄抛光板是现代技术的极重要部分。举例来说，晶片可指在集成电路及其它装置的制作中所使用的半导体材料的薄切片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规等。尽管此处所描述的技术主要是指晶片，但将理解，所述技术也适用于其它类型的抛光板。可在本专利技术中互换使用术语晶片及术语薄抛光板。晶片经受缺陷检验。预期用于执行此些检验的工具是高效且有效的。然而，应注意，3DNAND技术的最新发展已对现有检验工具的效率及有效性提出挑战。更具体来说，由于3DNAND技术可在晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于选择适用于特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式及算法的方法，所述方法包括：利用一组光学模式来扫描所述特定类型的全堆叠晶片以获得一组全堆叠晶片图像；及基于由所述组全堆叠晶片图像指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述全堆叠晶片以产生经逆向处理晶片，从而促进对适用于所述特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式及算法的选择。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.01 US 62/289,870;2016.10.20 US 62/410,669;1.一种用于选择适用于特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式及算法的方法，所述方法包括：利用一组光学模式来扫描所述特定类型的全堆叠晶片以获得一组全堆叠晶片图像；及基于由所述组全堆叠晶片图像指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述全堆叠晶片以产生经逆向处理晶片，从而促进对适用于所述特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式及算法的选择。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在从所述全堆叠晶片所获得的信号与从所述经逆向处理晶片上的经验证缺陷位置所获得的信号之间建立相关性；促进对与用于经验证缺陷位置的所述组光学模式相关联的信噪比的确定；基于与用于所述经验证缺陷位置的所述组光学模式相关联的所述信号或信噪比而选择光学模式子组；及基于所述所选择光学模式子组而形成用于缺陷检验的配方。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：利用所述组光学模式来扫描所述经逆向处理晶片以获得一组经逆向处理晶片图像；基于所获得的所述组全堆叠晶片图像及所述组经逆向处理晶片图像在从所述全堆叠晶片所获得的信号与从所述经逆向处理晶片所获得的信号之间建立相关性；利用所述所建立相关性来促进对与所述组光学模式相关联的信噪比的确定；基于与所述组光学模式相关联的所述信号或信噪比而选择光学模式子组；及基于所述所选择光学模式子组而形成用于缺陷检验的配方。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述促进对与所述组光学模式相关联的信号或信噪比的确定进一步包括：在使用所述组光学模式来扫描所述经逆向处理晶片时，基于与所述组光学模式相关联的信号或信噪比而从所述组光学模式选择前N种光学模式；及使用所述前N种光学模式来测量从所述经逆向处理晶片所获得的信号。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述促进对与所述组光学模式相关联的信噪比的确定进一步包括：利用所述前N种光学模式来扫描新的全堆叠晶片；测量由所述前N种光学模式产生的光学噪声；及确定所述前N种光学模式的信噪比。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述基于与所述组光学模式相关联的所述信噪比而选择光学模式子组进一步包括：基于所述前N种光学模式的所述信噪比而从所述前N种光学模式选择所述光学模式子组。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：利用所述所选择光学模式子组来扫描所述新的全堆叠晶片；基于通过所述利用所述所选择光学模式子组来扫描所述新的全堆叠晶片而指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述新的全堆叠晶片以产生新的经逆向处理晶片；确定所述所选择光学模式子组在检测缺陷中是否有效；及在所述所选择光学模式子组被确定为在检测缺陷中有效时，基于所述所选择光学模式子组而形成用于缺陷检验的所述配方。8.根据权利要求4所述的方法，其中所述促进对与所述组光学模式相关联的信号或信噪比的确定进一步包括：基于使用所述前N种光学模式从所述经逆向处理晶片所获得的所述信号及所述所建立相关性而模拟可使用所述前N种光学模式从新的全堆叠晶片所获得的信号；及基于所述前N种光学模式的所述信号或信噪比而从所述前N种光学模式选择前M种光学模式。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述促进对与所述组光学模式相关联的信噪比的确定进一步包括：利用所述前M种光学模式来扫描所述新的全堆叠晶片；测量由所述前M种光学模式产生的光学噪声；及确定所述前M种光学模式的信噪比。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：利用所述前M种光学模式来扫描所述新的全堆叠晶片；基于通过所述利用所述前M种光学模式来扫描所述新的全堆叠晶片而指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述新的全堆叠晶片以产生新的经逆向处理晶片；确定所述前M种光学模式在检测缺陷中是否有效；及在所述前M种光学模式被确定为在检测缺陷中有效时，基于所述前M种光学模式而形成用于缺陷检验的所述配方。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述组光学模式含有在孔径设定、焦点设定或波长带方面不同的光学模式。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述组光学模式含有仅在焦点设定方面不同的光学模式。13.根据权利要求12所述的方法，其中所获得的所述全堆叠晶片图像包含所述全堆叠晶片的跨焦点堆叠图像。14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：调整用于处理所获得的所述全堆叠晶片图像的至少一个算法。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述至少一个算法包含至少一个滤波算法。16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：利用所述组光学模式来扫描所述经逆向处理晶片以获得一组经逆向处理晶片图像；基于所获得的所述组全堆叠晶片图像及所述组经逆向处理晶片图像在从所述全堆叠晶片所获得的信号与从所述经逆向处理晶片所获得的信号之间建立相关性；在使用所述组光学模式来扫描所述经逆向处理晶片时，基于与所述组光学模式相关联的信噪比而从所述组光学模式选择前N种光学模式；使用所述前N种光学模式来测量从所述经逆向处理晶片所获得的信号；基于使用所述前N种光学模式从所述经逆向处理晶片所获得的所述信号及所述所建立相关性而模拟可使用所述前N种光学模式从新的全堆叠晶片所获得的信号；利用所述前N种光学模式来扫描所述新的全堆叠晶片；测量由所述前N种光学模式产生的光学噪声；确定所述前N种光学模式的信噪比；基于所述前N种光学模式的所述信噪比而从所述前N种光学模式选择光学模式子组；及基于所述所选择光学模式子组而形成用于缺陷检验的配方。17.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·达南，阿方索·孙，T·博特赖特，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US